Power Integrations 最近概述了 1,250 V 和 1,700V PowiGaN 技術在為下一代 AI 數據中心供電方面的實用性，強調了其 PowiGaN 氮化鎵 （GaN） 技術在為下一代 AI 數據中心供電方面的效用。它在圣何塞舉行的 2025 年 OCP 全球峰會上發布的白皮書中進行了介紹，NVIDIA 還在合作中提供了 800V DC 架構的最新信息，以加速向 800V 直流電源和兆瓦級機架的過渡。

本文揭示了1,250V PowiGaN HEMT的性能優勢，強調了其經過現場驗證的可靠性以及滿足800V DC架構功率密度和效率要求的能力。它還表明，與堆疊式 650V GaN FET 和競爭的 1,200V 碳化硅 （SiC） 器件相比，單個 1,250V PowiGaN 開關可提供更高的功率密度和效率。

Power Integrations 的 InnoMux 2-EP IC 就是一個例子，這是一種用于 800V 直流數據中心輔助電源的解決方案。該器件的集成 1,700V PowiGaN 開關接受 1,000V 直流輸入電壓，而其 SR ZVS（同步整流器，零電壓開關）作在液冷、無風扇系統中可提供超過 90.3% 的效率。

GaN 技術的一個主要優勢是它可以在高頻下運行，開關損耗幾乎可以忽略不計，使其在效率方面優于 1,200V SiC。該解決方案提供易于集成和控制，同時減少外部組件數量。