Power Integrations 最近概述了 1,250 V 和 1,700V PowiGaN 技術在為下一代 AI 數據中心供電方面的實用性，強調了其 PowiGaN 氮化鎵 （GaN） 技術在為下一代 AI 數據中心供電方面的效用。它在圣何塞舉行的 2025 年 OCP 全球峰會上發布的白皮書中進行了介紹，NVIDIA 還在合作中提供了 800V DC 架構的最新信息，以加速向 800V 直流電源和兆瓦級機架的過渡。本文揭示了1,250V PowiGaN H
全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布推出三款新型高壓650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS，適用于人工智能（AI）數據中心和服務器電源（包括新型800V高壓直流架構）、電動汽車充電、不間斷電源電池備份設備、電池儲能和太陽能逆變器。此類第四代增強型（Gen IV Plus）產品專為多千瓦級應用設計，將高效GaN技術與硅基兼容柵極驅動輸入相結合，顯著降低開關功率損耗，同時保留硅基FET的操作簡便性。新產品提供TOL
在內華達州里諾郊外的一個沙地工業區，一排排曾經驅動電動汽車的電池組現在正在為一個小型 AI 數據中心供電。6 月 26 日，美國最大的電池回收公司之一 Redwood Materials 在其總部的新聞發布會上展示了這一系列位于煤渣塊上并包裹在防水塑料中的儲能模塊。該活動標志著該公司新業務線 Redwood Energy 的啟動，該業務線最初將重新利用（而不是回收）剩余使用壽命多年的電池，以創建可再生能源微電網。這種小型能源系統可以在較大的電網上運行或脫離，為企業或社區提供電力。Redwood Mater
隨著人工智能產業的快速發展，市場對AI數據中心的需求也不斷上升，智能電源和智能感知技術的領先企業安森美公司依托領先的碳化硅(SiC)技術，以功率器件、智能功率級模塊等核心產品，打造了一系列針對?AI數據中心的高功率密度電源解決方案，并發布了《AI?數據中心系統方案指南》(AI Data Center System Solution Guide)，全面蓋產品規格參數、典型應用場景及系統設計案例，為客戶提供從器件選型到系統集成的全方位技術支持。受生成式AI、機器學習及其他數據密集型應用的推
美國芯片巨頭英特爾與日本科技和投資巨頭軟銀合作，構建了 HBM 的堆疊式 DRAM 替代品。據日經亞洲報道，這兩家行業巨頭成立了 Saimemory，以基于 Intel 技術和日本學術界（包括東京大學）的專利構建原型。該公司的目標是到 2027 年完成原型和大規模生產可行性評估，最終目標是在本十年結束前實現商業化。大多數 AI 處理器使用 HBM 或高帶寬存儲芯片，非常適合臨時存儲 AI GPU 處理的大量數據。然而，這些 IC 制造復雜且相對昂貴。除此之外，它們很快就會變熱并且需要相對更多的功率。該合作
尼得科株式會社（以下簡稱“本公司”）將從2025年5月起在泰國洛加納工廠量產面向AI數據中心的新型冷卻系統產品——行間式（In Row式）大型CDU（Coolant Distribution Unit）。近年來，受GPU和CPU發熱量增加趨勢的影響，對更高性能且高效率冷卻系統的需求不斷增加。本產品是一種可以同時冷卻多臺裝有GPU、CPU的AI服務器機架的CDU，是本公司為提高未來數據中心冷卻效率而推出的新型解決方案產品。通過將本產品裝配到數據中心，可以大幅減少以傳統空調系統為主的冷卻耗電。本產品的特點１．
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