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飛兆半導體的高壓SuperFET產品在降低總成本的同時可以優化系統效率和可靠性

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作者:eaw 時間:2005-05-27 來源:eaw

半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出8款新型高壓SuperFET™  MOSFET器件,專為高效的高壓、快速電能轉換應用而設計,例如有源功率因數校正(PFC)、照明電子和AC/DC電源系統等。

本文引用地址://tjguifa.cn/article/6203.htm

SuperFET技術通過降低RDS(ON)  和柵極電荷 (Qg) 來減小導通損耗及開關損耗。這項技術可降低電壓和電流的瞬態轉換速度(di/dt、dv/dt),確保器件能在更高頻率下可靠地運行。新的SuperFET 系列也具有很高的額定重復性雪崩特性,比同類方案高出一個數量級。柵-源電壓最高額定值為

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