全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司通過增加頂部散熱（TSC）的TOLT封裝及TO-247-3和TO-247-4封裝擴展其CoolSiC? 400V G2 MOSFET產品組合。此外，英飛凌還推出了三款額定電壓為440V（連續）和455V（瞬態）的TOLL封裝新產品。新的CoolSiC? MOSFET具有更優的熱性能、系統效率和功率密度。其專為滿足高功率與計算密集型應用需求而設計，涵蓋了AI服務器電源、光伏逆變器、不間斷電源、D類音頻放大器、電機驅動、固態斷路器等領域。這款新產品可為這
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英飛凌 CoolSiC MOSFET
各行業高功耗應用的快速增長對功率電子技術提出了更高的要求，包括功率密度、效率和可靠性等。分立式功率MOSFET在這方面發揮著關鍵作用，而針對應用優化的設計思路為進一步提升已高度成熟的MOSFET技術帶來了新的可能性。通過采用這種以具體應用場景為核心的設計理念，全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出適用于工業與消費市場的OptiMOS? 7功率MOSFET系列，進一步擴展其現有的OptiMOS? 7汽車應用產品組合。新OptiMOS
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英飛凌 MOSFET
電動汽車充電、電池儲能系統，以及商用、工程和農用車輛（CAV）等大功率應用場景，正推動市場對更高系統級功率密度與效率的需求，以滿足日益提升的性能預期。同時，這些需求也帶來了新的設計挑戰，例如，如何在嚴苛環境條件下實現可靠運行、在應對瞬態過載時如何保持穩定性，以及如何優化整體系統性能。為應對這些挑戰，全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司近日推出采用TO-247PLUS-4回流焊封裝的CoolSiC? MOSFET 1400V G2系列。該器件支持更高的直流母線電壓，可實現更優異的熱性能、
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英飛凌 MOSFET
全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，已開始量產TOLL（TO-LeadLess）封裝的SiC MOSFET“SCT40xxDLL”系列產品。與同等耐壓和導通電阻的以往封裝產品（TO-263-7L）相比，其散熱性提升約39%，雖然體型小且薄，卻能支持大功率。該產品非常適用于功率密度日益提高的服務器電源、ESS（儲能系統）以及要求扁平化設計的薄型電源等工業設備。與以往封裝產品相比，新產品的體積更小更薄，器件面積削減了約26%，厚度減半，僅為2.3mm。另外，很多TOLL封裝的普通產品的
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ROHM SiC MOSFET
碳化硅（SiC）在耐高溫、耐電壓和電力效率方面優于傳統硅，全球領導者如英飛凌和 Wolfspeed 正在爭先。現在，韓國也加大了力度——Maeil 商業報紙報道，釜山已開啟了韓國首個 8 英寸碳化硅功率半導體工廠。據報道，釜山廣域市政府于 17 日宣布，EYEQ Lab 在釜山吉昌完成了其新的總部和生產設施。該工廠投資了 1000 億韓元，使韓國首次能夠完全本土化生產 8 英寸碳化硅功率半導體。如《韓國先驅報》所強調，釜山廣域市政府將項目的完成視為一個關鍵里程碑，旨在提升國內8英寸碳化硅功率半導體的生產并
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碳化硅 MOSFET 電源 功率半導體
?iDEAL半導體近日宣布，其200 V SuperQ? MOSFET系列中的首款產品已進入量產階段，另外四款200 V器件現已提供樣品。SuperQ是硅MOSFET技術在超過25年來的首次重大進步，突破了長期存在的開關和導通限制。它在性能和效率方面實現了階躍式提升，同時保留了硅的核心優勢：堅固性、高產量制造能力，以及在175 °C下的可靠表現。首款進入量產的200 V器件是iS20M028S1P，這是一款25 mΩ的MOSFET，采用TO-220封裝。iDEAL的最低電阻200 V器件現已在T
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iDEAL MOSFET
隨著全球汽車行業電氣化進程的加速，市場對高效、緊湊且可靠的功率系統的需求持續增長——不僅乘用車領域如此，電動兩輪車領域亦是如此。這些車輛需要特殊的系統支持，例如xEV上的高壓-低壓DC/DC轉換器和電動兩輪車上的牽引逆變器。此類系統必須在滿足高質量標準的同時，能夠應對技術、商業和制造方面的多重挑戰。為滿足上述需求，全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司近日宣布擴展其OptiMOS? 6產品組合，推出新型車規級150V MOSFET產品系列。新產品專為滿足現代電動汽車的嚴苛要求量身打造，并
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英飛凌 MOSFET 汽車電氣化
iDEAL 半導體宣布其首批基于 SuperQ?的 200V MOSFET 已進入量產階段，另外還有四個 200V 器件正在進行樣品測試。SuperQ 是過去 25 年來硅 MOSFET 技術的第一個重大進步，突破了長期存在的開關和導通限制。它在提供性能和效率飛躍的同時，保留了硅的核心優勢：堅固性、大規模可制造性和在 175°C 下經過驗證的可靠性。首個進入大規模生產的 200 V 器件 iS20M028S1P 是一款 TO-220 封裝的 25 mΩ MOSFET。iDEAL 的最低電阻 200 V 器
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MOSFET 選型MOS 新品 iDEAL
中國上海，2025年8月28日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出三款650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”。這三款產品配備其最新[1]第3代SiC MOSFET芯片，并采用表面貼裝TOLL封裝，適用于開關電源、光伏發電機功率調節器等工業設備。三款器件于今日開始支持批量出貨。 三款新產品是東芝第3代SiC MOSFET，采用通用表面貼裝TOLL封裝，與TO-247和TO-247-4L(X)
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東芝 SiC MOSFET
電容-電壓 (C-V) 測量廣泛用于半導體材料和器件表征，可提取氧化物電荷、界面陷阱、摻雜分布、平帶電壓等關鍵參數。傳統基于 SMU 施加電壓并測量電流的準靜態方法適用于硅 MOS，但在?SiC MOS 器件上因電容更大易導致結果不穩定。為解決這一問題，Keithley 4200A-SCS 引入?Force-I QSCV 技術，通過施加電流并測量電壓與時間來推導電容，獲得更穩定可靠的數據。Force-I QSCV 技術在 SiC 功率 MOS 器件上體現出多項優勢。比如僅需 1 臺帶前
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202509 SiC MOSFET 界面陷阱檢測 QSCV 泰克
山東大學和華為技術有限公司在中國使用氟（F）離子注入端接（FIT）在全垂直氮化鎵（GaN）硅基硅（Si）溝槽金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）中實現了1200V擊穿性能[Yuchuan 馬等人，IEEE Electron Device Letters，2025年7月8日在線發表]。通常，臺面蝕刻端接 （MET） 用于電隔離 GaN 半導體器件。然而，這會導致相對尖銳的拐角，電場往往會擁擠，導致過早擊穿。MET-MOS全垂直MOSFET的擊穿電壓約為650V。功率氮化鎵器件正在與碳化硅 （SiC）
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1200V 全垂直 硅基氮化鎵 MOSFET
全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司近日推出了采用頂部散熱（TSC）Q-DPAK封裝的CoolSiC? MOSFET 1200 V G2。這款新型半導體器件能夠提供更加出色的熱性能、系統效率和功率密度，專為應對工業應用的高性能和高可靠性要求而設計，例如電動汽車充電機、光伏逆變器、不間斷電源、電機驅動和固態斷路器等。采用Q-DPAK封裝的CoolSiC??MOSFET 1200V G2這款CoolSiC 1200 V G2所采用的技術相較于上一代產品有顯著的提升，可在導通電阻（
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英飛凌 CoolSiC MOSFET 1200V
繼推出首批基于 SuperQ 的芯片之后，此舉標志著自 25 多年前超級結技術以來，硅 MOSFET 架構的首次重大進步。賓夕法尼亞州里海谷，2025 年 7 月 31 日 – iDEAL Semiconductor 是一家專注于實現突破性效率的無晶圓廠功率半導體公司，該公司宣布將與電力和射頻專家 Richardson Electronics 合作。根據該協議，iDEAL 將獲得 Richardson Electronics 的設計團隊和銷售專家的支持，以擴展其基于公司新型專利、最先進 SuperQ 技術
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iDEAL Richardson SuperQ MOSFET
固態繼電器 （SSR） 是各種控制和電源開關應用中的關鍵組件，涵蓋白色家電、供暖、通風和空調 （HVAC） 設備、工業過程控制、航空航天和醫療系統。固態隔離器利用無芯變壓器技術在 SSR 的高壓側和低壓側之間提供隔離。基于 CT 的固態隔離器 （SSI） 包括發射器、模塊化部分和接收器或解調器部分。每個部分包含一個線圈，兩個線圈由二氧化硅 （SiO2） 介電隔離柵隔開（圖 1）。磁耦合用于在兩個線圈之間傳輸信號。該技術與標準CMOS處理兼容，可用于分立隔離器或集成柵極驅動器IC。圖 1.分立 SSI 中使
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固態隔離器 MOSFET IGBT 優化SSR
iDEAL Semiconductor的SuperQ?技術現已全面量產，首款產品為150V MOSFET。同時，一系列200V MOSFET產品也已進入送樣階段。SuperQ是過去25年來硅基MOSFET設計領域的首次重大突破，在硅功率器件中實現了前所未有的性能與效率提升。該架構突破了硅材料在導通與開關方面的物理瓶頸，將n型導電區域擴大至高達95%，并將開關損耗較競爭產品降低高達2.1倍。該結構不僅改善了器件的電阻與功率損耗，同時保留了硅材料的諸多優勢，包括高強度、量產能力強以及在175°C結溫下的可靠性
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mosfet介紹
金屬-氧化層-半導體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數位電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ ]
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