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NOVELLUS(諾發公司)推出用于65納米及更窄工藝節點的氮化鎢/鎢淀積系統

作者:電子設計應用 時間:2005-04-01 來源:電子設計應用

有限公司(納斯達克股票市場Nasdaq代號:NVLS)是全球半導體行業在高級淀積、表面處理和化學機械平坦化工藝等領域的生產力和技術領導企業。該公司今天宣布推出用于65納米及更窄工藝節點填充接觸和通路的ALTUS DirectFill單系統解決方案。DirectFill系統采用諾發公司久經考驗的ALTUS平臺,不再需要傳統的鈦/氮化鈦(Ti/TiN)淀積設備。與現有的工藝相比,這項先進的接觸和通路填充工藝可以將接觸電阻和總體擁有成本降低50%以上。

本文引用地址://tjguifa.cn/article/4807.htm

諾發公司的ALTUS DirectFill解決方案用單一的系統取代標準的多設備Ti/TiN/W工藝,簡化了鎢淀積工藝過程。這一系統將先進的預清潔工藝整合在一個工藝模塊內,隨后的模塊整合了諾發公司的PNL™氮化鎢(WN)淀積專利技術,而在第三個模塊內則將PNL和鎢化學氣相淀積工藝整合在內。這些采用氮化鎢和鎢的多功能序列淀積工藝模塊有助于提高產能和工藝復用率。

ALTUS DirectFill技術在技術上有幾個重要優勢。首先,氮化鎢阻隔層顯示出原子級淀積(ALD)均勻性,而且比它所取代的Ti/TiN阻隔層要薄得多,這樣就可以用電阻率較低的鎢來填充大部分的電接觸。在45納米工藝節點這一級工藝,氮化鎢/低電阻率鎢DirectFill工藝可將接觸電阻降低50%以上。此外,PNL氮化鎢可以提供優秀的阻隔層特性,并能與各種介電材料很好地粘附。所有的工藝溫度都在400

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