全球功率半導體技術的領軍者英飛凌科技重磅亮相上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會（PCIM Asia 2025），現場展示了一系列創新產品和技術解決方案，特別是在最受關注的AI服務器電源新架構和汽車功率器件領域的先進產品和解決方案成為全場矚目的焦點。

此次展會，英飛凌不僅展示了其在綠色能源、電動化出行、AI算力電源等關鍵領域的最新突破，更以實際行動詮釋了其在推動能源轉型與智能化發展方面的技術引領作用。

PCIM Asia 2025英飛凌展臺

800V SiC主驅逆變器系統：系統級解決方案驅動未來電動出行

首先，英飛凌展示了800V SiC主驅逆變器一站式系統級解決方案，使用了31種不同類型的英飛凌芯片，展現了其在功率半導體領域的綜合技術實力。該系統可工作在800V高壓平臺下，輸出高達750Arms的相電流，采用英飛凌HybridPACK? Drive Gen2 1200V SiC功率模塊，具備優異的效率與可靠性，可耐受的最高結溫達200°C，滿足電動汽車主驅系統對高功率密度與高溫穩定性的嚴苛要求。

英飛凌800V SiC主驅逆變器系統

在控制與系統管理方面，該方案集成AURIX? TC49X系列高性能單片機作為主控，內置PPU、CDSP及Hypervisor等功能模塊，實現了高效運算控制與功能安全分區。同時，方案搭載了專為逆變器應用設計的OPTIREG?I-PMIC TLE9744電源管理芯片，符合ASIL D功能安全等級，集成了功能安全邏輯配置模塊與旋轉變壓器供電與勵磁激勵觸發功能。電流檢測部分采用XENSIV?TLE4973系列無磁芯電流傳感器，不僅精度高、集成度高，還避免了傳統傳感器的磁飽和問題，滿足ASIL B功能安全要求。驅動芯片支持原副邊安全信號輸入，符合高壓加強絕緣標準。

據英飛凌現場工程師介紹，得益于其中1200V SiC MOSFET的使用，系統能夠在輸出大電流的同時保持高溫運行穩定性，有效助力客戶加速樣品測試與系統驗證。

嵌入式碳化硅PCB方案：突破傳統模塊封裝，重構系統性能上限

英飛凌工程師介紹，該方案采用新一代1200V G2p SiC技術，基于S-cell結構，通過特殊PCB工藝，嵌入到PCB板材中，相比傳統模塊方案，能有效降低系統雜散電感，提升開關速度，從而提升電流出力和工況效率，并優化系統成本。

英飛凌新一代嵌入式碳化硅解決方案

CoolSiC? MOSFET 750V G2：開啟高效功率轉換新篇章

展會期間，英飛凌重點展示的CoolSiC? MOSFET 750V G2，無疑是最受矚目的明星產品之一。

該技術專為提升汽車和工業電源轉換應用的系統效率和功率密度而設計。據英飛凌專家介紹，CoolSiC? MOSFET 750V G2在導通電阻（R _DS(on)）上實現了顯著降低，最低可達4mΩ，這一數據在業界處于領先地位。

同時，該系列產品的性能參數和品質因數（FOM值）相比第一代產品提升了30%到40%，意味著客戶在使用過程中能夠體驗到更低的開關損耗和更高的系統效率。

“CoolSiC? MOSFET 750V G2技術的推出，是我們對高效、高功率密度電源轉換解決方案的一次重要升級。” 英飛凌專家表示，“其極低的導通電阻和優化的封裝設計，使得該系列產品在車載充電器、DC-DC轉換器、電動汽車輔助設備以及光伏逆變器、儲能系統等領域具有廣泛的應用前景。”

尤為值得一提的是，CoolSiC? MOSFET 750V G2系列采用的Q-DPAK頂部散熱封裝，厚度僅為2.3毫米，散熱面積更大，非常適合空間受限但對散熱要求極高的應用場景。

例如，在家用固態斷路器中，該系列產品能夠作為電子開關使用，替代傳統的機械觸點，從而大大提高系統的可靠性和使用壽命。

寬禁帶半導體：英飛凌的全面布局與未來展望

隨著硅基半導體性能逐漸接近理論極限，寬禁帶半導體（碳化硅和氮化鎵）成為了行業發展的新方向。

英飛凌持續持續深耕碳化硅技術多年，今年重點推出了CoolSiC? MOSFET 2025年度最新產品，包括CoolSiC? MOSFET G2 1200V和1400V單管多種封裝組合以及CoolSiC? MOSFET 碳化硅模塊。其中，1200V產品采用Q-DPAK TSC頂部散熱封裝，能提供更出色的熱性能、系統效率和功率密度；新一代CoolSiC? MOSFET G2 1400 V經過優化設計，適配1000V以上母線電壓，電流承載能力顯著提升，產品最低導通電阻可低至6mΩ，性能指標行業領先，適用于光儲等高功率場景。CoolSiC? MOSFET 碳化硅模塊運用到了多種先進封裝，從最新的Easy 2C到標準的Econo PACK，再到高壓2300V/3300V XHP，覆蓋從光儲到工業、及大功率風電多種應用領域。

英飛凌在此領域有著全面的布局和深厚的積累。除了CoolSiC? MOSFET 系列外，英飛凌還展示了其CoolGaN?氮化鎵系列產品，電壓覆蓋從60V到800V，提供了多種封裝選擇，以滿足不同客戶的需求。

英飛凌氮化鎵CoolGaN?系列

“英飛凌在寬禁帶半導體領域的技術路線是多元化的。” 英飛凌專家介紹道，“我們不僅在碳化硅方面持續投入研發，推動技術迭代和產品升級；同時也在氮化鎵方面積極探索，通過高度集成的模塊設計，為客戶提供更加高效、高頻的電源解決方案。”

在技術細節上，英飛凌通過優化溝槽形狀、摻雜工藝等內部結構，不斷提升器件的性能和可靠性。例如，在CoolSiC? MOSFET 750V G2中，通過調整溝槽的形狀和位置，英飛凌成功地在保持甚至提升器件性能的同時，減小了晶圓尺寸，從而降低了制造成本。

光儲與電動汽車充電：創新解決方案助力綠色能源轉型

在光儲和電動汽車充電領域，英飛凌同樣展示了其創新實力。基于CoolSiC? MOSFET的光伏混合逆變器等參考設計，充分利用了碳化硅器件的高效率和高功率密度特性，幫助客戶提升系統性能并降低成本。

“在光儲領域，我們不僅提供了高性能的功率器件，還為客戶提供了完整的系統解決方案。” 英飛凌專家表示，“通過優化拓撲結構和散熱設計，我們的逆變器產品能夠實現更高的轉換效率和更長的使用壽命，從而滿足客戶對高效、可靠光儲系統的需求。”

在電動汽車充電領域，英飛凌推出的新款CoolSiC? MOSFET G2 Easy 2C系列1200V碳化硅模塊同樣引人注目。

新一代CoolSiC? MOSFET G2 1200V Easy 2C 系列

該模塊采用創新的耐高溫材料和PressFIT引腳技術，支持更高電流承載能力并有效降低PCB溫度，滿足電動汽車充電樁對高效、可靠充電解決方案的需求。

AI服務器電源管理：高效、供電解決方案

英飛凌為AI與數據中心電源架構提供的全鏈路高性能解決方案

隨著AI算力的激增，電源管理成為了AI服務器設計的關鍵挑戰之一。

英飛凌在此領域同樣展示了其創新實力，推出了從電網到AI芯片核心的全價值鏈高能效電源解決方案。這些解決方案包括電源供應單元（PSU）、電池備份單元（BBU）、中間母線轉換器（IBC）及負載點（POL）模塊等，為AI服務器提供了高效、可靠的供電保障。

“AI服務器對電源的要求極高，不僅需要高功率密度，還需要極高的效率和可靠性。” 英飛凌專家介紹道，“我們的8kW PSU評估板采用了最新的硅、碳化硅和氮化鎵功率器件，實現了高頻、高效、高功率密度的電源轉換。同時，英飛凌的4kW BBU評估板創新地采用了部分功率轉換架構，大幅降低了BOM成本并提升了系統備份時長。”

針對AI板卡熱插拔過程中可能產生的沖擊電流問題，英飛凌還推出了XDP710數字熱插拔控制器。該控制器通過精確控制MOS管的開關過程，有效抑制了插拔瞬態電流，提升了系統可靠性。

結語：攜手共創可持續發展未來

此次PCIM Asia 2025展會，英飛凌以其卓越的技術實力和創新能力，再次鞏固了其在功率半導體技術領域的領導地位。

通過此次專訪，我們深入了解了英飛凌在功率半導體領域的最新創新成果和技術路線。從CoolSiC? MOSFET 750V G2技術到寬禁帶半導體的全面布局，再到光儲、電動汽車充電和AI服務器電源管理領域的創新解決方案，英飛凌正以其實際行動引領著功率半導體行業的未來發展。

“未來，英飛凌將繼續攜手行業伙伴，探索更高效、更智能的半導體解決方案。” 英飛凌專家表示，“我們將以技術賦能低碳化與數字化發展，為綠色低碳轉型和可持續發展注入新動能，共同創造更加美好的未來。”