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800v 文章 最新資訊

800V數據中心:納微35kV下變頻方案

  • 納微半導體透露了其對英偉達“人工智能工廠”數據中心概念的提案,其中電力以 800Vdc 分配,揭示了電網電壓和 800V 電源轉換器。每個機架的功耗估計為 1MW,數據中心的前端將需要接收 ~14kV 或 ~35kV 的三相電網電力。Navitas 選擇在具有 800Vdc 輸出的基于碳化硅的單級 AC-DC 轉換器中直接消耗 34.5 或 13.8kV 的三相 480Vac 以進行后續轉換,從而避免使用多噸級電網變壓器來生產三相 480Vac 以進行后續轉換。它選擇了三相模塊化“輸入-串聯-輸出-并聯”
  • 關鍵字: 800V  數據中心  納微  35kV  下變頻  

Nvidia 800VDC數據中心方案匯總

  • 在 OCP 全球峰會上,Nvidia 將公布 Vera Rubin NVL144 MGX 代開放式架構機架式服務器的規格,超過 50 個 MGX 合作伙伴正在為此做準備,以及對 Nvidia Kyber 的生態系統支持,它連接了 576 個 Rubin Ultra GPU,旨在支持不斷增長的推理需求。合作伙伴包括:芯片供應商:ADI公司(ADI)、AOS、EPC、英飛凌、Innoscience、MPS、Navitas、onsemi、Power Integrations、瑞薩、立锜、羅門、意法半導體和德州儀
  • 關鍵字: Nvidia  800V  DC  數據中心  

SiC推動電動汽車向800V架構轉型,細數安森美的核心SiC方案

  • 隨著電動汽車(EV)逐漸成為主流,人們對電動汽車的性能、充電時間和續航里程的期望持續攀升。要滿足這些需求,不僅需要在用戶界面層面進行創新,更要深入動力系統架構展開革新。而推動這一演進的關鍵趨勢之一,便是電池系統從400V向800V(乃至1200V)的升級。這種轉變能實現充電提速、功率提升與能源高效利用,但同時也帶來了新的設計挑戰。安森美(onsemi)正處于這一變革的前沿。安森美提供一系列碳化硅(SiC) 解決方案,包括650V 和1200V M3S EliteSiC MOSFET和汽車功率模塊(APM)
  • 關鍵字: 安森美  SiC  電動汽車  800V  

安森美與英偉達合作加速下一代人工智能數據中心向800V方案過渡

  • 位于美國亞利桑那州斯科茨代爾的智能電源和傳感技術公司安森美表示,它正在與美國加利福尼亞州圣克拉拉的英偉達合作,支持向800V直流(VDC)電源架構的過渡,這正在推動下一代人工智能數據中心的效率、密度和可持續性方面的顯著提升。這種轉變的核心是新的配電系統,它必須在每次電壓轉換過程中以最小的損耗分配大量電力。安森美表示,其智能電源產品組合通過在電力旅程的每個階段提供高效、高密度的電源轉換(從變電站的高壓交流/直流轉換到處理器級別的精確電壓調節)在實現下一代人工智能數據中心方面發揮著關鍵作用。安森美利用數十年來
  • 關鍵字: 安森美  英偉達  人工智能  數據中心  800V  

Wolfspeed與恩智浦攜手推出經過全面測試的800V牽引逆變器參考設計

  • 為了實現零排放的未來,汽車行業迫切需要重塑。我們今天所了解和駕駛的燃油車歷經了數十年的演變發展。新型電動汽車的舒適度、駕駛體驗、耐用期限和安全性應能夠與燃油車相媲美。為此,汽車制造商必須加速推出性能相當甚至超越燃油車的新款差異化電動車型,這需要做出大膽決策、嘗試新材料,并尋找擁有同樣愿景和創新渴望的合作伙伴。圖1 功率逆變器模塊解剖構造為了支持其汽車合作伙伴并加速汽車電氣化進程,Wolfspeed 與恩智浦 (NXP) 攜手推出了一款經過全面測試的 800 V 牽引逆變器參考設計。該設計能夠幫助電動汽車系
  • 關鍵字: Wolfspeed  恩智浦  800V  牽引逆變器  

Nvidia 800VDC數據中心結構

  • 800Vdc 配電架構將提供未來 AI 處理器所需的功率密度和轉換效率,同時最大限度地減少電源尺寸、重量和復雜性的增長,“TI 表示。Nvidia 的提議是在數據中心周邊將 13.8kVac 電網功率直接轉換為 800Vdc。英偉達表示,與使用 415Vac 將電力輸送到機架相比,800Vdc 將通過相同尺寸的配電導體傳輸的電力增加 85%,該公司還預測,通過在每個機架內從 AC-DC 轉換為 DC-DC 轉換,效率會提高——因為它計劃使用 1MW 機架。與英偉達合作開展該項目的其他公司包括:Infine
  • 關鍵字: Nvidia  800V  DC  數據中心  

NVIDIA 800V數據中心配電系統成形 功率芯片三雄拔頭籌

  • 近日NVIDIA表示,未來將會采用新的800V高壓直流配電系統,替次世代數據中心供應電源。 而目前NVIDIA正式宣布一同合作開發電源解決方案的「功率芯片三雄」,分別為英飛凌(Infineon)、德州儀器(TI)及Navitas三家半導體業者。可以確定的是,這塊應用在設計上的難度非常高,且公司勢必得需要具備足夠完整且多元的解決方案,才能夠協助NVIDIA達成這個新目標,雖然NVIDIA勢必會對更多功率半導體廠商張開雙臂,但未來這個最高階的新戰場,初步來看,就是首波功率芯片三雄會占據絕對優勢。據了解,NVI
  • 關鍵字: NVIDIA  800V  數據中心  配電系統  

從48V到800V:數據中心高壓直流電源的嚴峻挑戰

  • 數據中心(特別是那些推動 AI 最新創新的數據中心)正在消耗越來越多的電力。高盛 (Goldman Sachs) 目前的研究表明,數據中心消耗了當今全球 2% 的電力,預計到 2030 年,這一數字將增加到 10%。這暴露了數據中心傳統電力電子設備的缺點,從為服務器柱提供交流電的配電系統,到提供直流電源的穩壓器,再到作為這一切核心的高性能 AI 芯片。數據中心的電源架構必須進行重大變革,以應對 AI 不斷增長的電源需求,反過來,電子設計人員將不得不解決許多挑戰。代溝:數據中心供電的演變要了解數據中心電源的
  • 關鍵字: 48V  800V  數據中心  高壓直流電源  

Power Integrations的1700V開關IC為800V純電動汽車提供可靠性和節省空間的優勢

  • 深耕于高壓集成電路高能效功率變換領域的知名公司Power Integrations近日宣布推出五款面向800V汽車應用的全新參考設計,這些參考設計基于該公司的1700V InnoSwitch?3-AQ反激式開關IC實現。這些設計涵蓋16W至120W的功率水平,采用繞線式變壓器或扁平的平面變壓器,適用于汽車應用中的DC-DC母線變換、逆變器應急電源、電池管理和輔助系統電源等場景。其IC采用了Power Integrations的新型寬爬電距離InSOP?-28G封裝,該封裝可在初級側施加1000VDC的高壓
  • 關鍵字: Power Integrations  開關IC  800V  純電動汽車  

李云飛:比亞迪兆瓦閃充、三萬轉電機技術過于先進 很多人不相信

  • 快科技3月27日消息,比亞迪集團-品牌及公關處總經理李云飛日前發文稱:前段時間我們發布了比亞迪超級e平臺,含有兆瓦閃充、三萬轉電機和高耐壓等級的碳化硅模塊等近11項全球之最。但因為技術過于先進,很多人不相信,甚至有質疑。但比亞迪的風格一向都是:一發布即量產。目前,4000個兆瓦閃充站正在布局中,首批約500個將在4月初 漢L和唐L的上市階段,就可啟用。歡迎對兆瓦閃充技術不相信,有質疑的朋友前來體驗、觀看。李云飛還表示,關于電池的技術路線和補能方案,無論磷酸鐵鋰固態半固態,還是氫燃料,無論超充兆瓦閃充,還是
  • 關鍵字: 比亞迪  800V/100V架構  充電  電機  

用于800V牽引逆變器的45W輔助電源參考設計

  • 對電動和混合動力汽車的需求不斷增長,這給制造商帶來了壓力,要求他們開發更高效、更可靠的牽引逆變器系統。關鍵挑戰之一是確保輔助電源在不同的故障條件下提供穩定的電源。這需要輔助電源能夠處理寬輸入電壓范圍并提供一致的輸出功率,即使在惡劣的環境中也是如此。這款用于牽引逆變器系統的交鑰匙輔助電源解決方案旨在滿足電動、混合動力和插電式混合動力電動汽車(EV、HEV 和 PHEV)的苛刻電壓和可靠性要求,為大功率牽引逆變器應用提供緊湊、高效和強大的解決方案。該設計具有 40V 至 1000V 的寬輸入范圍,提供 +22
  • 關鍵字: 800V  牽引逆變器  45W  輔助電源  驅動逆變器  

800V與碳化硅成為新能源汽車電驅的新寵,器件性能與可靠性還有上升空間

  • 1 我國能源汽車已突破1000萬輛,今年將增長24%據賽迪顧問 2024 年 12 月發布的數據預測顯示,我國新能源汽車的新車全球市占率有望穩居七成以上,我國從汽車大國邁向汽車強國的步伐更加堅實。據中國汽車工業協會的統計數據顯示,2024年我國汽車產銷分別完成3128.2萬輛和3143.6萬輛,同比分別增長3.7%和4.5%,繼續保持在3000萬輛以上規模,產銷總量連續16年穩居全球第一。其中,新能源汽車產銷首次突破1000萬輛,分別達到1288.8萬輛和1286.6萬輛,同比分別增長34.4%和35.5
  • 關鍵字: 電驅  碳化硅  SiC  新能源汽車  800V  

Littelfuse宣布推出采用改進型SOT-223-2L封裝的800V N溝道耗盡型MOSFET

  • Littelfuse公司是一家工業技術制造公司,致力于為可持續發展、互聯互通和更安全的世界提供動力,很高興宣布推出CPC3981Z,一種800V、100mA、45歐姆小功率N溝道耗盡型MOSFET。與標準SOT-223封裝相比,這款新產品的SOT-223-2L封裝去掉了中間引腳。 這將漏極與柵極之間的引腳間距從1.386毫米增加到超過4毫米。 爬電距離延長有利于開關模式電源設備(SMPS)或功率因數校正(PFC)啟動電路等更高電壓應用,因為設計人員可以避免昂貴的保形涂料或灌封。耗盡型MOSFET CPC3
  • 關鍵字: Littelfuse  800V  N溝道耗盡型MOSFET  
共13條 1/1 1

800v介紹

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