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熱模型 文章 最新資訊

碳化硅MOSFET的短路實驗性能與有限元分析法熱模型的開發

  • 本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實驗(SCT)表現。具體而言,該實驗的重點是在不同條件下進行專門的實驗室測量,并借助一個穩健的有限元法物理模型來證實和比較測量值,對短路行為的動態變化進行深度評估。
  • 關鍵字: 碳化硅(SiC)MOSFET  短路  熱模型  

包含熱模型的新型MOSFET PSPICE模型

  • 1. 引言  散熱器在計算時會出現誤差,一般說來主要原因是很難精確地預先知道功率損耗,每只器件的參數參差不 ...
  • 關鍵字: 熱模型  MOSFET  PSPICE  

面向 Vishay 光耦合器產品的新型熱模型可縮短設計時間

  •  Vishay 是率先為總功耗大于 200mW 的新器件提供 詳細熱數據的光耦合器與固體繼電器制造商 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代碼:VSH)宣布,該公司目前正在為最近推出的總功耗為 200mW 及更高的光耦合器及固體繼電器 (SSR) 提供詳細的熱特性數據。Vishay 是業界率先提供熱模型的光耦合器與 SSR 制
  • 關鍵字: Vishay  單片機  電源技術  光耦合器產品  模擬技術  嵌入式系統  熱模型  設計時間  
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熱模型介紹

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