英特爾和芯片技術公司Numonyx本周三發布了一項新技術.這兩家公司稱,這種新技術將使非易失性存儲器突破NAND閃存的20納米的極限,使加工工藝縮小到5納米,從而更加節省成本.

　　英特爾研究員和內存技術開發經理Al Fazio星期三向記者解釋說,這種技術產生的堆疊內存陣列有可能取代目前DRAM內存和NAND閃存的一些工作.這種技術甚至能夠讓系統設計師把一些DRAM內存和固態內存的一些存儲屬性縮小到一個內存類.

　　This image shows phase-change memory built atop a conventional CMOS microchip. Memory cells can be controlled using rows and columns of wires that lead through the chip.

　　(Credit: Intel)

　　簡單地說,這個技術能夠使DRAM內存和存儲結合為一個高速的、高帶寬的架構.但是,這個飛躍還有很長的路要走.基于本周三宣布的這種技術的產品還要等許多年才能出現.

　　Fazio和Numonyx公司高級技術研究員Greg Atwood解釋的這項技術突破稱作PCMS(相變內存與開關)的相變內存(PCM)技術的一個進步.這種技術能夠在同一個基本的硫族(元素)化物材料商創建薄膜內存單元機器控制薄膜選擇器,并且在一個交叉點架構上把這些元件組合在一起.

　　這種新的相變技術也許有一天會把你的內存和存儲融合為一個幸福的家庭.

　　這種新的薄膜選擇器名為雙向閾值開關,允許把多層的內存/選擇器層放在一個CMOS基礎上,以創建高密度、高帶寬的PCM內存.

　　這種多層堆疊是這個目標.本周三宣布的技術突破是一種可工作的64MB單層版本的這種新的內存架構.英特爾將在今年12月在馬里蘭州巴爾迪摩舉行的國際電子設備大會上發表一篇論文,正式介紹這種內存架構.

　　不過,這些多層的新內存目前正在設計圖版上.正如Atwood說的那樣,第一次是難度最大的一層.