ARM制成45nm SOI測試芯片 功耗降低40%
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據ARM的研究人員的報道，公司制成的45nm SOI測試芯片和普通相同尺寸工藝相比，功耗可減少40%。該結果在近期的IEEE SOI Conference上發表。
本文引用地址：//tjguifa.cn/article/98763.htm
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