瑞薩科技公司(以下簡稱“瑞薩”)宣布推出面向新一代通信網絡內高端路由器和交換機使用的高速SRAM*1產品系列。這些SRAM產品不僅符合QDR聯盟*2行業標準要求，還實現了72Mb四倍數據速率II+(QDRTM II+)和雙數據速率II+(DDRII+)的業內最高工作速度，并且包含72Mb QDRII和DDRII SRAM器件。整個器件系列(具有多種速度和配置)將于2009年8月在日本開始陸續進行銷售。

　　新產品特性如下：

　　(1) 業內最高的工作速度：533 MHz(QDRII+和DDRII+ SRAM)和333 MHz(QDRII和DDRII版);

　　瑞薩大幅提高了新產品的工作速度，同時還通過利用先進的45nm生產工藝而保持了低壓操作。QDRII SRAM產品實現了業內最高的工作速度——333 MHz，QDRII+ SRAM產品也達到了業內最高的工作速度——533 MHz。這些器件可以支持高端路由器與交換機(其支持10G、40G和容量更大的多層通信系統)內的分組查找和包緩沖器應用所需的高速處理。

　　(2) 大量72Mb器件;

　　瑞薩將為3種數據I/O寬度(9、18或36位)和2種突發長度(2或4字)的產品提供支持。此外，瑞薩還提供具有內置式ODT(晶片上終端電阻)功能的產品，極大地降低了高速操作過程中可能發生的信號質量下降。瑞薩豐富的QDRII、DDR II、QDRII+和DDRII+ SRAM產品系列使得用戶能夠選擇最符合其系統要求的解決方案。

　　< 產品背景資料 >

　　隨著互聯網的日益普及，傳輸速度和發送到通信設備的信息量也在不斷增加，并且數據速率現在已經超過了40Gb/s。檢查數據終點和管理高端網絡設備內的數據包流量的需要不斷推動著對具有高速操作功能的大密度存儲器需求的增長。并且，數據復雜度也隨視頻、語音和數據應用而不斷增加，從而需要更大的存儲容量。

　　目前，瑞薩提供了大量面向工業應用和UNIX*3服務器與工作站內高速緩沖存儲器的SRAM、18Mb網絡SRAM以及面向通信設備的36Mb DDRII與QDRII SRAM。隨著網絡設備性能和功能的不斷提高，瑞薩利用其設計專長和生產技術為72Mb QDRII與QDRII+ SRAM產品實現了更高的速度和高可靠性，從而滿足了通信應用對高速、大容量和大位寬度的需求。

　　< 產品詳情 >

　　新產品均提供所有突發長度和位寬度組合，并且標準HSTL(高速晶體管邏輯)接口用于超高速同步SRAM.

　　新產品采用165-引腳塑料FBGA封裝，尺寸為15 mm × 17 mm，具有出色的散熱特性，適于大密度安裝。這些產品符合RoHS指令*4的要求，還提供無鉛版本。QDR引腳配置支持將來向高達288Mb的密度無縫移植。并且，采用FBGA封裝的產品支持IEEE標準測試存取端口和邊界掃描架構(IEEE標準1149.1-1990)，能夠在板級模塊安裝過程中實現交叉連接檢查。

　　對于將來該領域的開發，瑞薩制定了長遠的發展規劃，并致力于開發容量更大、性能更高的QDR/DDR SRAM產品以支持不斷變化的用戶需求。