Intel兩周內發布基于34納米NAND固態硬盤
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時間:2009-06-29
來源:cnbeta
近來謠言越來越厲,市場盛傳英特爾將于未來2周里發布基于34納米制程NAND芯片的固態硬盤。之前有報道稱英特爾Chipzilla芯片實驗室將于去年Q4發布新34納米閃存,不過時間表早已大大推后。固態硬盤出現的時間不久,其成本高,容量有限,有時候人們甚至懷疑其可靠性。如果新的34納米制程NAND閃存推出,固態硬盤的價格將大大降低,容量也將達到320GB左右。
本文引用地址://tjguifa.cn/article/95722.htm固態硬盤的存儲單元分為MLC(Multi-Level Cell,多層單元)和SLC(Single Layer Cell,單層單元)兩種。MLC的特點是容量大成本低,但相應速度也較低;SLC的特點是成本高容量小,但是速度更快。受益于先進的34納米制程,英特爾MLC固態硬盤的容量將會獲得巨大突破,有望從目前的160GB提升到320GB。SLC固態硬盤的進度相對要慢一些,預計英特爾SLC固態硬盤還得等到2010年才能達到320GB容量。
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