雖然國家半導體照明工程總體進展順利，但是我們應該清楚地看到，與國際相比，我國在半導體照明技術與產業方面尚存在一定差距，還面臨著許多急需解決的問題。

　　首先，產業化的核心技術與專利缺乏，研發投入不足，研究力量分散，缺少產業化的國家公共研發平臺。

　　我國外延材料的核心技術研究仍處于弱勢，生產外延材料的MOCVD(化學氣相沉積設備)核心裝備也高度依賴進口，無法支撐外延核心技術、工藝和方法的持續創新，并且制造成本高。半導體照明外延材料的研發，不僅在設備與原料上投入很高，而且還是一項"人與機器結合"不斷摸索的艱苦工作。與國外相比，我國研究投入明顯不足，研究力量又分散，研究工作也缺乏連續性，再加上設備、技術、信息不能有效共享等問題，造成核心關鍵技術的研發沒有形成合力，缺少能夠有效地對單項技術集成和促進工藝上、工程上成熟的產業化支撐平臺，無法形成自主創新資源的合理配置和集中投入。

　　其次，產業鏈發展不均衡，企業規模偏小、創新能力弱，高端市場被國際公司占據。

　　我國LED產業雖然先后實現了自主生產器件、芯片和外延片，但自產的LED外延、芯片仍以中、低檔為主，產業化規模偏小，80%以上的高亮功率型LED芯片、器件還是依賴進口。由于技術進步速度加快，大規模應用市場正在形成，所以急需上、中游規模化生產能力的擴大和產品性能的提高。目前雖然民間資本介入較快，但與國外相比企業規模較小，形不成競爭優勢和品牌，并且技術創新能力與承擔風險能力都遠遠不夠，因此高端外延、芯片市場仍然被國際幾大巨頭壟斷。

　　再次，標準與檢測體系不完善，缺乏權威檢測平臺。

　　由于半導體照明技術進步快，涉及行業多，處在多學科交叉的產業邊緣地帶，以及在檢測設備、檢測方法的研發等方面沒有足夠的投入，導致半導體照明的標準與檢測體系尚未形成，也沒有針對半導體照明產品的權威檢測平臺。由于LED產品的技術差異性極大，又沒有專業權威、統一的測試機構與認證標準，加之地方政府示范心切，且又急于發展地方的企業，導致產品質量良莠不齊，嚴重影響消費者的信心。

　　最后，缺乏針對光電產業發展的政策。

　　美國、日本、歐盟等采取了一系列措施來促進半導體照明的應用和推廣。與國外相比，我國尚沒有相關的產業促進政策出臺或沒有實施細則，缺乏支持產業發展的相應措施。特別是核心裝備和關鍵原材料高度依賴進口，過高的進口關稅及增值稅，嚴重影響了國內上游外延芯片企業制造成本的降低和規模的擴大。