ASM International N.V. 宣布一家臺灣晶圓廠為其28 納米節點high-k 閘極介電層量產制程選擇ASM的Pulsar原子層沉積技術(ALD)工具。

　　除此之外，此家晶圓廠也將與ASM針對最新世代的high-k閘極技術進行制程開發活動。 ASM 在2009年第2季將針對進階節點開發計劃提供額外的 Pulsar 制程模塊。該晶圓廠在過去4年也使用ASM的ALD high-K和金屬閘極設備來開發其以鉿基材料為基礎的high-k 閘極制程。

　　納米節點上實現成功的high-K制程證明了ASM在制程當中整合新材料的優異能力。”ASM晶體管產品業務事業部經理Glen Wilk表示。“我們的high-K制程證明了在28納米節點上的生產能力，我們也期望進一步的開發成果能夠將這些利益延伸到未來的節點上。

　　ASM的Pulsar是第一款用于high-k 閘極量產的工具，其由45納米節點開始采用，現在已經延伸至28納米節點。ASM的high-k 閘極介電薄膜含氧化鉿，并采用氧化鋁和氧化鑭高介電質覆蓋層做為金屬電極功函數調整之用。