Diodes 推出全新OR'ing 控制器
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Diodes 亞太區技術市場總監梁后權表示，傳統上用于電源故障保護的肖特基阻流二極管的熱耗散很高，這與其很強的0. 5V 正向壓降有直接關系。如果用典型正向電壓低于100mV的導通電阻較低的MOSFET替代二極管，功耗將明顯減少。ZXGD3102正是為了控制高可靠性N+1冗余電源系統中的MOSFET而設計的。
這款控制器能吸收5A的峰值關斷電流，因此其柵極驅動可實現160ns 典型MOSFET關斷時間，確保迅速的負載保護，避免在電源故障和熱插拔情況下總線電壓發生變化。為滿足故障處理要求，控制器的導通時間可以調節，以實現電源間的平穩轉換。ZXGD3102 的輸入電壓阻斷能力為180V。
該芯片采用小巧的SM8 封裝，只需要極少量的外部元件，并采用可由微型齊納二極管輕易導出的5V 至 15V低電流偏壓軌。
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