全球功率半導體和管理方案領導廠商–國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 宣布推出具有基準低通態電阻 (RDS (on)) 的溝道型HEXFET功率MOSFET系列。這些采用TO-247封裝的MOSFET適用于同步整流、動態ORing及包括高功率DC馬達、DC-AC轉換器及電動工具等工業應用。
　 

　　新MOSFET的通態電阻 (RDS (on)) 能效比同類產品高出達50%，無需工業應用中通常使用的大型及昂貴封裝，有助于節省總系統成本。此外，低RDS (on) 可降低導通損耗，并提升系統效率。

IR亞洲區銷售副總裁潘大偉表示：“這個系列的卓越RDS (on) 額定值，可讓設計人員避免使用大電流工業應用中，往往因散熱需要的大而昂貴的ISOTOP或小型BLOC封裝，使系統成本降低50%。”

全新N溝道MOSFET系列可提供40V至200V電壓，也符合工業級及MSL1要求。新MOSFET均不含鉛并符合電子產品有害物質限制 (RoHS) 指令。

產品基本規格如下：

*封裝限制

各款全新MOSFET已經開始供貨。產品詳細資料可瀏覽IR網址：www.irf.com。

IR簡介

國際整流器公司 (簡稱IR，紐約證交所代號IRF) 是全球功率半導體和管理方案領導廠商。IR的模擬及混合信號集成電路、先進電路器件、集成功率系統和器件廣泛應用于驅動高性能運算設備及降低電機的能耗 (電機是全球最大耗能設備) ，是眾多國際知名廠商開發下一代計算機、節能電器、照明設備、汽車、衛星系統、宇航及國防系統的電源管理基準。