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中芯計劃明年投產45和40納米芯片

作者: 時間:2008-10-06 來源:賽迪網

  10月6日消息,中國芯片制造商公布了該公司的生產工藝計劃。計劃明年投產45和工藝的芯片。

本文引用地址://tjguifa.cn/article/88439.htm

  據國外媒體報道稱,還希望2011年投產32納米工藝的芯片,并表示該公司正在與IBM談判有關許可32納米工藝的事宜。中芯國際沒有詳細披露生產工藝計劃。

  在65納米工藝之前,中芯國際都是自己開發生產工藝,中芯國際去年末從IBM許可了45納米工藝。

  中芯國際在各代生產工藝方面都稍微落后與主要競爭對手——特許半導體、臺積電和臺聯電。例如,IBM芯片聯盟成員——特許半導體和三星計劃明年底發售32納米芯片。IBM的32納米工藝采用了高K和金屬柵極技術。

  中芯國際稱對該公司目前的市場形勢感到滿意,并表示該公司在生產工藝方面是個“快速追隨者”。華登國際創投集團創始人、董事長Lip-Bu Tan本周五在“2008年中芯國際技術研討會”上發言時表示,由于成本更高,65納米和45納米工藝的壽命將比以前的工藝更長。

  中芯國際并沒有停滯不前。中芯國際美國公司總裁薩姆·王在這次會議上表示,“我們在生產工藝方面比競爭對手落后一代,但我們正在追趕上來。”

  另外,中芯國際還在逐步退出DRAM芯片業務。


關鍵詞: 40納米 中芯國際

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