Hittite推出SMT封裝GaAs pHEMT MMIC增益單元放大器
作者:
時間:2008-07-24
來源:電子產品世界
HMC636ST89E和HMC639ST89E是GaAs pHEMT高線性增益單元放大器,無需外部匹配電路,從而成為競爭對手的理想替代品,如50MHz到4GHz的IF和RF應用AH-1與AM-1增益單元。
本文引用地址://tjguifa.cn/article/86178.htmHMC636ST89E高線性增益單元放大器額定為200 MHz到4 GHz,具有13 dB增益,+40 dBm輸出IP3,噪聲系數低至2.2 dB。HMC639ST89E高線性增益單元放大器額定為200 MHz到4 GHz,具有13 dB增益,+38 dBm輸出IP3,噪聲系數低至2.3dB。
這些50Ohm可層疊放大器符合RoHS,封裝為SOT89,可滿足不同的蜂窩/3G, WiMAX/4G和軟件定義無線電等應用的IF和RF需求。HMC636ST89E和HMC639ST89E由單+5V電源直接供電,分別僅僅消耗155mA和104mA的電流。
所有SMT產品的樣片和評估板可從庫存提供。
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