近日，應用材料公司推出Applied Producer® eHARP™ 系統，為32納米及更小工藝節點上關鍵的STI（淺溝槽隔離）器件結構提供已被生產驗證的HARP SACVD®空隙填充技術。eHARP工藝能夠提供無孔薄膜，用于填充小于30納米、長寬比大于12:1的空隙，從而滿足先進存儲器件和邏輯器件的關鍵制造要求。該系統擁有多項工藝創新專利，能提供強勁的高密度應力誘導薄膜，幫助推動傳統的平坦化和新興的3-D器件結構向更小的技術節點發展。

　　應用材料公司副總裁兼電介質系統和化學機械研磨事業部總經理Bill McClintock表示：“在過去的14年中，應用材料公司作為業界的領先企業一直為客戶提供最先進的HDP-CVD和SACVD空隙填充技術，滿足客戶最緊迫的工藝要求。Producer eHARP系統為客戶提供了32納米及更小技術節點上STI空隙填充的發展路徑，同時也不需要對現有的工藝流程進行過大的改動。客戶們對eHARP系統的能力感到非常興奮，其中一些重要的器件生產廠商還將eHARP選定為先進邏輯器件和存儲器件開發制造的參考系統。”

　　Producer eHARP技術同非CVD空隙填充技術相比，能夠提供最低的每片晶圓成本。eHARP薄膜不含碳，不需要保護層或者覆蓋層，能方便地和傳統化學機械研磨工藝整合，并提供可靠強勁的器件隔離效果。此外，eHARP系統工藝中所使用的化學物品已經經過驗證，不會產生有害的液體副產品，因此也不需要特殊的化學處置。

　　eHARP工藝基于應用材料公司聲譽卓著的Producer平臺，該平臺被業內每一家芯片制造廠商用于包括低k沉積、應力工程、光刻薄膜、PECVD*和SACVD*等先進應用中。超過500臺Producer系統已經被運送到客戶處用于SACVD應用，進行升級后它們全部可以運行eHARP工藝。