近日，由青島杰生電氣有限公司承擔的國家"863"半導體照明工程重點項目"氮化鎵-MOCVD深紫外LED 材料生長設備"制造取得重大突破，研制成功我國首臺具有自主知識產權的、能夠同時生長6片外延片的MOCVD設備。

　　據悉，該設備集精密機械、半導體材料、真空電子、流體力學、光學、化學、計算機多學科為一體，是一種自動化程度高、價格昂貴、技術集成度高的尖端光電子專用設備，在高亮度的藍光發光二極管(LED)、激光器(LD)、紫外光電探測器、高效率太陽能電池、高頻大功率電子器件領域中具有廣泛應用，是半導體照明產業上游階段關鍵設備。而目前，國內半導體照明產業的研發和生產所需設備全部依賴進口。