RAMTRON的F-RAM存儲器榮獲《電子設計技術》EDN CHINA創新獎
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作者:
時間:2007-11-28
來源:電子產品世界
非易失性鐵電隨機存取存儲器 (F-RAM) 和集成半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation宣布榮獲業界知名的《電子設計技術》雜志EDN China頒發2007年度創新獎之優秀產品獎。Ramtron的FM22L16產品是半導體行業首款4兆位 (Mb) 非易失性F-RAM存儲器,獲評委會及數以千計《電子設計技術》的讀者選為數據IC與可編程邏輯類別的優秀產品。
Ramtron亞太區域總監徐夢嵐稱:“我們非常高興獲得業界知名的《電子設計技術》雜志頒發的獎項。對于產品得到中國電子設計團體的認同,我們深感榮幸。這款4兆位F-RAM實現了技術的突破,將引領Ramtron與F-RAM進入新的創新應用中。中國設計工程師對FM22L16所作的投票,足以證明該產品的技術成果已獲得公認。”
入圍產品由《電子設計技術》的專家評審小組選出,該小組由來自中國各大OEM廠商、學術機構、高校及《電子設計技術》編輯部的業界專家和專業人士組成。而《電子設計技術》的讀者參與投票選出得獎的產品。
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