10月8日，復旦大學集成電路與微納電子創新學院周鵬、劉春森團隊在《自然》（Nature）期刊上發表題為《全功能二維-硅基混合架構閃存芯片》（A full-featured 2D flash chip enabled by system integration）論文，率先研發出全球首顆二維-硅基混合架構閃存芯片。復旦大學集成電路與微納電子創新學院、集成芯片與系統全國重點實驗室研究員劉春森和教授周鵬為論文通訊作者，劉春森研究員和博士生江勇波、沈伯僉、袁晟超、曹振遠為論文第一作者。今年4月，周鵬、劉春森團隊研發
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各大存儲器企業正專注于1c DRAM量產的新投資和轉換投資。主要內存公司正在加快對 1c（第 6 代 10nm 級）DRAM 的投資。三星電子從今年上半年開始建設量產線，據報道，SK海力士正在討論其近期轉型投資的具體計劃。美光本月還獲得了日本政府的補貼，用于其新的 1c DRAM 設施。1c DRAM是各大內存公司計劃在今年下半年量產的下一代DRAM。三星電子已決定在其 HBM1（第 4 代高帶寬內存）中主動采用 6c DRAM。SK海力士和美光計劃在包括服務器在內的通用DRAM中使用1c DRAM。三星
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全球存儲器市場在生成式AI與大型云端服務商（CSP）急單帶動下，正式進入新一輪長線上行。 隨著業界開始惜售，業者預期，10月DDR4與DDR5合約價及現貨價，皆將出現雙位數漲幅。產業界大老指出，這一波內存行情漲得又快又急，可望一路延續到2026年底。根據業界對10月漲幅最新預估，DDR5合約價將上漲10~15%，現貨價漲15~25%; DDR4合約價將上漲逾10%，現貨價漲幅則超過15%，隨著市場供貨趨緊，現貨價漲幅還有進一步拉升的可能。業者分析，此波漲幅的原因有二：一是AI應用與儲存需求強勁，推升NAN
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華為定于8月27日召開「AI SSD，加速智能經濟涌現」新品發布會，劍指AI存儲器賽道，計劃以技術創新推出大容量AI SSD，突破傳統HBM的容量限制。在當前的AI存儲器領域，HBM占據重要地位 —— HBM是一種通過3D堆疊和超寬接口，實現極高數據傳輸帶寬的先進內存技術，通常直接封裝在GPU卡中。問題在于，傳統HBM受容量制約，難以滿足AI大模型等場景需求，HBM犧牲容量換取極致帶寬和能效的策略導致現有算力卡上HBM的容量比較有限。華為將發布的全新AI SSD產品，可以有效滿足AI訓練推理過程中的超大容
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（圖片來源：Getty / Comezora）科學家們工程化的一種突破性新型分子，可能為存儲技術開啟100倍于當前容量的新大門，這得益于一種能在所需低溫下用常見冷卻劑保持的單分子磁體，這是單分子磁體技術上的重大突破。曼徹斯特大學和澳大利亞國立大學（ANU）的化學家在《 自然 》上發表了研究結果。正如 Phys 所解釋的那樣，現代硬盤通過磁化由許多原子共同組成的小區域來存儲數據，而單分子磁體可以單獨存儲數據，無需鄰近分子的幫助，為超高密度數據存儲鋪平了道路。技術挑戰在
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據媒體報道，近期存儲器產業急單出貨表現強勁，主要受中美關稅戰緩和的影響，供應鏈客戶拉貨節奏有望逐步回歸正常。隨著中美雙方在日內瓦發布聯合聲明，美國對中國商品的關稅暫時降至30%，中國對美國商品的關稅也降至10%。這一調整為全球關稅談判設立了新的“隱形區間”，即10%至30%。業內人士指出，盡管30%的關稅仍對部分企業構成較大壓力，但相較于此前的高稅率，供應鏈的緊張情緒已有所緩解。特別是在存儲器領域，由于韓系廠商三星電子逐步停產DDR4，市場一度出現急單拉貨潮。隨著關稅局勢改善，客戶已建立一定庫存，急單備貨
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全球存儲器市場正在從谷底回升，看好存儲器將成為AI運算的核心之一，但鈺創董事長盧超群示警，中國大陸廠商正加速擴張中低階DRAM產能，未來2年市占率將可望躍升至4成，恐將沖擊全球價格與產業結構。對于短期需求，盧超群表示，是否處于真實需求或庫存拉貨，仍需進一步觀察，但從第2季起需求已逐步浮現，預期第3~4季有望逐季轉強，包括車用產品在關稅政策壓力下，目前尚未接獲任何來自客戶的負面回饋，因此將審慎態度因應短期變動，推進長期的應用布局。鈺創觀察，旗下存儲器產品較少直接出貨至美國市場，但近期在對等關稅90天豁免期間
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根據TrendForce集邦咨詢最新調查，近期國際形勢變化已切實改變了存儲器供需方操作策略。TrendForce資深研究副總吳雅婷表示，由于買賣雙方急于完成交易、推動生產出貨，以應對未來市場不確定性，預期第二季存儲器市場的交易動能將隨之增強。基于對未來國際形勢走向不明的擔憂，采購端普遍秉持“降低不確定因素、建立安全庫存”的策略，積極提高DRAM和NAND Flash的庫存水位。TrendForce集邦咨詢表示，受到積極備貨潮帶動，第二季的DRAM和NAND
Flash合約價調漲幅度皆較原本預期擴大。然
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超緊湊、彈性的存儲器芯片提高了面向通信、地球觀測、科學和邊緣計算的衛星的高級任務的SWaP。8GB DDR4的合格工程樣片 (EM) 現已發布，飛行正片 (FM) 正在制造中，計劃于2025年初推出。超快、高密度8GB DDR4存儲器提供與較小的4GB DDR4選項相同的外形尺寸和引腳兼容性-是下一代設計的理想選擇。新的高速8GB DDR4存儲器支持2400MT/s的傳輸速率。它對高達60 MeV.cm2/mg 的單粒子閂鎖 (SEL) 具有免疫力。此外，該器件提供100 krad總電離劑量 (TID)，
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根據韓國媒體Pulse的報道，復雜國際形勢下，三星已經開始與全球主要客戶進行價格調整的談判，三星計劃對DRAM和NAND閃存產品進行3%至5%的提價。報道指出，在過去的幾個月里，存儲器芯片的需求因為客戶的儲備行為而急劇上升，這使得三星開始重新考慮其定價策略。此前，該公司由于市場供應過剩和需求疲軟，長期維持穩定價格。然而，隨著國際形勢以及存儲市場變化，加上競爭對手宣布提價，三星也開始加入漲價陣營。根據TrendForce集邦咨詢預測，DRAM價格在第二季度有望上漲3%至8%，而NAND閃存的價格也將隨著需求
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11 月 7 日消息，鎧俠日本當地時間昨日表示，其“創新型存儲制造技術開發”提案已獲日本新能源?產業技術綜合開發機構（NEDO）“加強后 5G 信息和通信系統基礎設施研究開發項目 / 先進半導體制造技術開發”計劃采納。鎧俠表示，在后 5G 信息和通信系統時代，AI 普及等因素產生的數據量預計將變得極其龐大，從而導致數據中心的數據處理和功耗增加。因此數據中心使用的存儲器必須能夠在高性能處理器之間高速傳輸數據，提高容量并降低功耗。鎧俠計劃開發新型 CXL 接口存儲，目標打造出較 DRAM
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隨著GDDR7存儲器標準規格于今年確定，存儲器業者開始推出GDDR7解決方案。與目前的GDDR6和GDDR6X相比，GDDR7提供大升級，提高游戲和其它類型工作負載的性能。什么是GDDR7存儲器呢？其實GDDR（Graphics Double Data Rate）的「G」，可以得知是用于GPU的顯示存儲器，如即將推出的NVIDIA Blackwell RTX 50系列。新一代GDDR6于2018年問世，首先用于NVIDIA RTX 20系列和AMD RX 5000系列GPU，其起始的顯存時脈頻率為14
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根據TrendForce集邦咨詢最新調查，存儲器模組廠從2023年第三季后開始積極增加DRAM（內存）庫存，到2024年第二季庫存水位已上升至11-17周。然而，消費電子需求未如預期回溫，如智能手機領域已出現整機庫存過高的情況，筆電市場也因為消費者期待AI
PC新產品而延遲購買，市場繼續萎縮。這種情況下，以消費產品為主的存儲器現貨價格開始走弱，第二季價格較第一季下跌超過30%。盡管現貨價至八月份仍與合約價脫鉤，但也暗示合約價的潛在趨勢。TrendForce集邦咨詢表示，2024年第二季模組廠在消費
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日本橫濱2024年8月20日
/美通社/ -- 富士通半導體存儲器解決方案株式會社（Fujitsu Semiconductor Memory Solution
Limited）欣然宣布，自2025年1月1日起，公司名稱將變更為RAMXEED
LIMITED。在更名的同時，公司的電子郵件地址和網站網址也將提前更新，而郵政地址和電話號碼則保持不變。新公司徽標：//cdn.kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106685/202408074740/_p
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簡單解釋一、ROM：只讀存儲器，內容寫入后就不能更改了，制造成本比較低，常用于電腦中的開機啟動如啟動光盤bios，在系統裝好的電腦上時，計算機將C盤目錄下的操作系統文件讀取至內存，然后通過cpu調用各種配件進行工作這時系統存放存儲器為RAM。PROM：可編程程序只讀存儲器，但是只可以編寫一次。EPROM：可抹除可編程只讀存儲器，可重復使用。EEPROM：電子式可抹除可編程只讀存儲器，類似于EPROM但是摸除的方式是使用高電場完成。二、RAM：隨機存取存儲器，也叫主存，是與CPU直接交換數據的內部存儲器，可
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存儲器介紹
什么是存儲器
存儲器（Memory）是計算機系統中的記憶設備，用來存放程序和數據。計算機中的全部信息，包括輸入的原始數據、計算機程序、中間運行結果和最終運行結果都保存在存儲器中。它根據控制器指定的位置存入和取出信息。
存儲器的構成
構成存儲器的存儲介質，目前主要采用半導體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩態半導體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [ ]
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