透明非結晶氧化物半導體FET技術 備受矚目 —— 作者: 時間:2005-07-13 來源: 加入技術交流群 掃碼加入和技術大咖面對面交流海量資料庫查詢 “2005年有源矩陣型液晶顯示器國際研討會(AM-LCD '05)”的第2天,在三場專題會議上總計發表了10場特邀演講,另有2條快訊,還有44項海報展示,內容非常豐富。其中的壓軸戲就是東京工業大學教授細野秀雄所做的題為《Transparent High Performance FET Using Amorphous Oxide Semiconductors》的技術發表。細野曾因2004年底在《自然》科學雜志上發表《室溫下在塑料底板上形成遷移率為10cm2 評論 我來說兩句…… 驗證碼: 相關推薦 透明非結晶氧化物半導體FET技術 備受矚目 消費電子 非結晶 | 2005-07-13 非結晶氧化物TFT顯示器能否成為現實 EDA/PCB 非結晶 氧化物 TFT | 2009-02-27 上一篇:臺積電宣布進行新一代高階互補傳感器制造 下一篇:全球磁盤存儲市場增勢強勁得益于存儲虛擬
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