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安森美半導體過壓保護IC用于便攜充電

作者:eaw 時間:2005-04-28 來源:eaw

半導體推出的NCP346過壓保護電路,采用強化BiCMOS工藝制造,可在少于1ms內關斷一系列PFET且可承受高達30V的過壓瞬變(或25V穩態電壓)。此器件的檢測臨界為4.45V 或5.5V,具有優良的電壓能力且關斷速度比標準CMOS監測電路更快,適用于手機、數字相機、便攜計算機、PDA和便攜式CD播放機。 

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