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飛利浦P信道MOSFET擴展TrenchMOS系列

作者:eaw 時間:2005-04-28 來源:eaw

電子公司推出的多個低導通電阻RDS(on) MOSFET器件,專為對占位面積要求嚴格的無線通信、移動計算和消費多媒體應用而設計。新型MOSFET包括20V和30V額定VDS,其驅動特性在柵驅動電壓低至2.5V時可完全打開。其中PMN50XP具有20伏電壓和50mW電阻,并采用TSOP6封裝,從而為設計人員提供了一種成本經濟型電源管理方案。

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