4月19日消息，據國外媒體報道，英特爾日前表示，其所開發的相變隨機存取存儲器（PRAM）有潛力取代當前的DRAM（動態隨機存取存儲器）。

　　在日前于北京召開的“英特爾信息技術峰會（IDF）”上，英特爾首席技術官Justin Rattner展示了新型PRAM內存，并表示，PRAM有潛力取代當前的DRAM。

　　Rattner還稱，英特爾開發PRAM已經有十年的歷史了。據悉，PRAM是一種非易失性的內存產品，它集DRAM內存的高速存取，以及閃存在關閉電源后保留數據的特性為一體，因此被業界視為未來DRAM和閃存的替代品。

　　據英特爾稱，PRAM的讀寫速度相當于閃存的1000多倍，而能耗只有當前閃存的1/2。目前，英特爾與意法半導體攜手開發這種PRAM產品。