TI攜手Ramtron合作將FRAM技術提升至130nm工藝
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Ramtron 首席執行長 Bill Staunton 稱：“這項制造協議標志著高密度 FRAM產品的商業化發展向前邁進了一大步。Ramtron 將從德州儀器公認及先進的130nm 工藝技術和先進的制造能力，和高密度的獨立 FRAM 存儲器中獲益。除了 4Mb 器件外，在 2007 年內，我們還計劃使用德州儀器的產品線中提供至少一種以上的產品樣品。”
德州儀器的先進 FRAM 工藝
為了創建嵌入式 FRAM 模塊，德州儀器在其標準的 130nm 銅互連工藝中添加了僅僅兩個額外的掩模步驟。通過轉向 130
nm 工藝，兩家公司將使用目前最小的商用 FRAM 單元 (僅 0.71um2)，提供 Ramtron 的 4Mb FRAM 存儲器，并且獲得較 SRAM 單元更高的存儲密度。為了實現這種單元尺寸，該工藝使用了創新的 COP (capacitor-over-plug) 工藝，將非易失性電容直接堆放在 W 型插入晶體管觸點之上。
FRAM 存儲器將易失性 DRAM 的快速存取和低功耗特點與不需要電能保存數據的能力結合起來。EEPROM 和閃存等其它非易失性存儲器由于必需以多個掩模步驟、更長的寫入時間及更多的功耗來寫入數據，因此對于嵌入式應用不太合適。此外，FRAM 的小單元尺寸和增加最少的掩模步驟特點，使到面向嵌入式應用的 FRAM 可以低于 SRAM 的成本生產。FRAM 所消耗的功率亦較 MRAM 低很多，并且已在要求嚴格的汽車、測量、工業及計算等應用中實現商業化應用。
Moise 博士續稱：“FRAM 具有快速存取、低功耗、小單元尺寸，以及實惠的制造成本等特點，這意味著它適于廣泛的應用。對于那些需要低功耗、非易失性存儲、關機前快速數據保護，以及無限寫入耐久性等的系統而言，將可從 FRAM 的功能中獲益良多。”
FRAM 的工作原理
FRAM 技術的核心是將微小的鐵電晶體集成進電容內，使到 FRAM 產品能夠象快速的非易失性 RAM 那樣工作。通過施加電場，鐵電晶體的電極化在兩個穩定狀態之間變換。內部電路將這種電極化的方向感知為高或低的邏輯狀態。每個方向都是穩定的，即使在電場撤除后仍然保持不變，因此能將數據保存在存儲器中而無需定期更新。
德州儀器利用 COP 方式制作了平面型 FRAM 單元，將單元的面積降至最小，并且利用銥電極和鋯鈦酸鉛 (PZT) 鐵電薄膜層來形成鐵電電容。
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