IDT推出最新先進存儲器緩沖器(AMB) 樣品
作者:
時間:2004-12-21
來源:電子產品世界
IDT公司今天宣布推出最新先進存儲器緩沖器(AMB) 樣品,服務于多種全緩沖雙插線存儲器模塊(FB-DIMM)的生產商。這個新產品完全兼容JEDEC的AMB標準,是下一代高帶寬應用產品的必備技術,比如服務器和工作站,這些設備都要求更高的性能和大型的存儲容量。
FB-DIMM信道架構的一個關鍵功能就是在信道中的存儲控制器和模塊之間實現高速度、串行、點對點的連接。每個FB-DIMM上的AMB芯片負責收集和分配來自DIMM 的數據,在芯片上進行內部數據緩沖,并將數據轉發至下一個DIMM或者存儲控制器。這種獨特的信道結構減少了在帶寄存器的DIMM技術中很常見的緩沖時延問題,能夠使設計人員在單一的系統中應用大量的DIMM。
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