ST發布了一款移動磁盤應用小功率前置放大器集成電路
作者:電子設計應用
時間:2004-11-10
來源:電子設計應用
L6316 IC設計采用ST先進的硅鍺5層金屬制程,雖然功耗需求很低,但沒有影響任何產品性能,在便攜功率限制條件下,讀寫速率超過1.2千兆/秒。這款IC取得如此優異的性能得益于ST新的寫驅動區體系結構,ST將這新結構命名為“連續匹配”技術,并保證在寫入過程中始終是一個真正的差分全匹配阻抗驅動器在工作。新的驅動器體系結構還實現了最高的有效寫入電壓,從而提高了數據的完整性(位錯誤率)。
利用該產品以下的先進功能,磁盤驅動器廠商可以開發下一代驅動器的容量和速度,特別是2.5英寸臺式機磁盤驅動器和新的2.5英寸形狀因數服務器驅動器:
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