先進處理解決方案的供電系統需搭配多個低壓電源，包括：1.1 V（用于DDR）、0.8 V（用于內核）和3.3 V/1.8 V（用于I/O設備）。隨著半導體集成度不斷提高，微處理器的耗電量越來越大，因此需要更大的供電電流。

同時，市場對采用FPGA或微處理器的遙測技術表現出強勁需求。這類技術能夠監測電壓、電流、溫度和其他設備參數。為了簡化設計方案，集成I2C/PMBus的模擬電源IC可以監測這些關鍵參數并控制遙測。

因此，電源解決方案必須與I2C/PMBus集成，以支持遙測回讀和穩壓器編程，同時實現更大電流能力、更高效率和出色的抗電磁干擾(EMI)性能。擁有高性能且滿足這些要求的多相器件正變得越來越受青睞。本文將介紹一款雙相降壓型穩壓器的一些設計思路。這款穩壓器的兩個通道可以提供總計高達40 A的連續電流，每個通道支持高達30 A的負載。它還集成了數字電源系統管理功能，支持通過符合PMBus/I2C標準的串行接口進行編程和遙測。設計時務必審慎考量并達成尺寸、效率、環路穩定性和瞬態響應等方面的目標。

為什么效率很重要

假設一個應用需要從12 V電源獲得1 V、30 A的低電壓、大電流輸出，且效率為80%，則總損耗將達到7.5 W。這些損耗會變成熱量，導致IC和電感的溫度上升。數據中心的環境溫度通常高于室溫，額外的損耗會使IC的溫度進一步升高，從而更接近IC的熱關斷限值（通常為150°C）。對于負載點(POL)應用，這類問題尤為關鍵，因為DC-DC轉換器往往非常靠近高發熱量的微處理器。

下文將介紹幾種提升低壓大電流器件效率的方法。

SW節點處的PCB走線

在之前版本的雙相器件演示板設計中，第1相和第2相中的電感相對而置。如果電感以此特定方向放置，EMI性能會更好。這種方式的缺點是開關(SW)節點會有相對較長的走線，導致PCB走線損耗更大，尤其是在重負載條件下，因為導通損耗與電流值的平方成正比(P = I²R)。

圖1所示為20 A負載條件下的熱圖像。開關節點溫度非常高，其溫升幾乎與IC相同。適當的設計可以改善PCB走線所引起的損耗。

圖1 室溫下12V_IN、0.6V_OUT、20A負載的熱圖像

如果對PCB進行切割，并將Ch1的電感向IC靠近以縮短SW節點走線。根據PCB走線的銅箔厚度與長度計算，此時SW節點的直流電阻為1.01mΩ，在20A負載條件下的總損耗為0.41W。當SW節點走線長度縮短至0.3cm后，損耗優化為0.17W。

圖2顯示了基于測試結果的效率改進情況。在20 A和30 A負載條件下，損耗改善幅度分別為0.22 W和0.53 W。

圖2 12V_IN、0.6 V_OUT、1 MHz Ch1 FCM V_BIAS=5V下的效率改進情況

當負載提高時，效率差異會更大，意味著此PCB走線的導通損耗(P = I²R)將占主導地位。在滿負載條件下，效率可提升1.5%。電感無法如此靠近IC，因此在第二版的電路板布局中，電感旋轉90°以面向IC，從而縮短SW走線長度。

增加C_IN以抑制V_IN振鈴

在我們的研究中，輸入電容對低電壓和大電流應用的效率與穩定性也有很大影響。工程師常常忽視輸入電容設計的重要性，憑以往經驗來布置輸入電容。有時候，受PCB方案總尺寸限制，工程師布置的輸入電容可能不足，導致電路不穩定和更多損耗。

圖3 輸入電容框圖

圖3（從左到右）顯示了用于熱插拔和抑制浪涌電流的電解電容，大陶瓷電容（通常為1210或1206尺寸）用于減少輸入電流紋波，而小陶瓷電容（0402或0201尺寸）用于減少高頻紋波。除此之外，Silent Switcher 2技術會將一對電容嵌入封裝中，以進一步減少SW高頻噪聲和過沖。圖3右側圖片顯示了兩個1206陶瓷電容（黃色）、四個0402封裝外陶瓷電容（藍色），外加四個采用去封裝技術的0402封裝內電容（紅色）。封裝中裸片上方刻蝕一個孔，以暴露襯底上的封裝內電容。

使用探頭對這些輸入電容和開關節點進行探測，觀察不同輸入電容組合的行為。

表1 C_IN組合

然而，其代價是IC的最大工作溫度范圍從150°C(X8L)降低到125°C(X7R)。有時候，IC的最大溫度是一個重要考慮因素，因為許多應用（如數據中心）的環境溫度超過70°C。工程師需要注意這些情況，因為如果選擇X7R封裝內電容，最大溫度可能會超過工作范圍。

更大的C_IN不僅會改善開關的穩定性，還有助于提升效率。圖8顯示，如果添加足夠的輸入電容，效率將提高約1.4%，損耗降低0.3 W。輸入端的振鈴和壓降會導致開關損耗增加。8個1206尺寸的電容與2個1210尺寸的電容具有相似的效率，因此在這種情況下，理想的C_IN選擇將是2個22 μF的1210尺寸電容。

對于輸入電容的選擇，由于陶瓷電容具有較大的直流額定范圍，因此工程師還應注意直流降額。例如，比較12 V下1206和1210電容的直流降額，1206尺寸電容的降額更嚴重。表2列出了兩個Murata電容作為示例。因此，建議使用1210尺寸電容作為低電壓、大電流電源的輸入。

如果總輸入電容較小，在重負載條件下，SW節點波形會出現較大的振鈴。這是因為當頂部開關導通時，大部分電流將是從輸入電容中拉出。總電荷 = 電容x電壓(Q = CV)。因此，如果電容較小，C_IN將會有較大的壓降。C_IN與輸入走線和IC封裝的寄生電感將形成LC諧振電路，導致開關節點處出現振鈴。大電壓降也會導致SW失真和不穩定，在小脈沖后面跟隨一個大脈沖。

如果增加輸入電容以抑制振鈴，可以改善開關的不穩定性。相較于小C_IN組合，大C_IN組合的總電容值翻倍。C_IN越接近開關的頂部，改善幅度就越大。因此，最好增加封裝內電容的值。在我們的案例中，兩個0.1 μF（0402、X8L）電容增加到0.22 μF（0402、X7R）（見表1）后，開關變得穩定。

圖4 不同C_IN下效率和損耗與負載電流的關系

表2  Murata電容比較

SIMPLIS仿真是一個有用的工具，可幫助工程師更好地確定C_IN的最優值。圖5顯示了一個降壓型穩壓器，標出了沿電源走線的寄生電感估計值。輸入電容已根據12 V輸入電壓下陶瓷電容的直流降額進行了調整。如果輸入電容翻倍，從2x70 nF增加到2x140 nF，振鈴會得到改善。

圖5 SIMPLIS仿真原理圖