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EEPW首頁 > 手機與無線通信 > 業界動態 > 新內存芯片材料實現速度高于閃存千倍

新內存芯片材料實現速度高于閃存千倍

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作者：時間：2006-12-13 來源：

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　　北京時間12月12日消息，據國外媒體報道，由IBM、旺宏(Macronix)和奇夢達(Qimonda)等企業組成的研發團隊近日表示，已開發出能制造高速“相變(phase-change)”內存的材料；與當前常用的閃存相比，相變內存運行速度高于前者500~1000倍，能耗也將大幅度降低。
　　據悉該新型材料為復合半導體合金。IBM納米科學部門資深經理斯派克

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