Zetex 高電壓MOSFET導通電阻最大僅150mΩ
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時間:2006-02-16
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Zetex亞洲副總裁林博文指出,新MOSFET采用獨特四腳型SOT223封裝,能發揮最大的抗高壓爬電效能。器件采用嶄新導線架設計,只需從兩個慣用的漏極接腳位置中切斷其一,便可大大擴展接腳之間的空間,有助設計人員符合UL及CE爬電距離規格。
這款新型晶體管的導通電阻很低,最大僅150mΩ,且可支持高至140mA的連續漏極電流和600mA的脈沖電流,體現高效率的功率處理效能。此外,器件的切換速度十分高,激活及上升時間設定為七毫微秒。
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