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ST降低車用功率場效應MOS晶體管電阻

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作者: 時間:2006-02-16 來源:

具有市場競爭力的針對汽車開關應用優化的大電流產品

本文引用地址://tjguifa.cn/article/11335.htm

意法半導體日前針對汽車市場推出一個新的大電流功率場效應MOS晶體管,該產品采用最新優化的 ripFET™ 專利技術,實現了最低的導通。 新產品 D95N04 是一個40V的標準電平的DPAK產品,最大導通RDS(on)6.5毫歐。 

這個80A的產品是專門為DC-DC轉換器、電機控制、電磁閥驅動器和ABS(防抱死制動系統)設計的。與采用傳統的溝道技術制造的產品相比,新產品在價格和導通性能上極具競爭力。新產品的典型RDS(on)在5毫歐區間內,能夠滿足標準閾壓的驅動要求。

STD95N04符合汽車電工理事會(AEC)組件技術委員會針對汽車環境用組件制定的AEC Q101分立器件應力測試標準。該組件最大工作溫度175℃ ,100%通過雪崩測試。

ST新的STripFET技術以密度大幅度提高的單元為基礎,導通電阻和功耗比上一代技術更低,占用的硅片面積更少。正在開發的其它的功率場效應MOS晶體管將采用相同的技術,以滿足DPAK (30V, 邏輯電平, 典型導通電阻在4.5V時等于4.5毫歐 ) 和 D2PAK (40V,標準電平, 典型導通電阻在10V時等于2.0毫歐) 的需求。

采用DPAK和TO-220封裝的STD95N04現已投入量產。 訂購10,000件,單價0.38美元。


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