安森美推出用于VR11管理控制器
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安森美半導體模擬計算產品總監施寶(Michael Stapleton)表示：“通過使用工作個人電腦主板，安森美半導體推出了符合VR10和VR11性能的雙緣NCP5381 PWM控制器。看過現場展示的客戶對控制器的印象十分深刻，因為其性能優異，可以方便地集成到現有的主板設計中，且最終可以幫助降低其Vcore核心電壓電源管理子系統的總體成本。”
電平增高和電流轉換更快是長期發展趨勢，故CPU電源設計人員面臨的主要挑戰之一在于特定主板上的CPU電壓必須保持穩定，而有源功率要求有波動。NCP5381的設計使電源管理子系統響應用戶激活高性能計算功能，對負載瞬流的響應明顯比現有業內單緣、鎖存、時鐘或同步調制產品更快。這讓子系統的工作頻率更低，而且與現有調制方法相比，保持電容更少、更小。其結果是得到更加緊湊的解決方法，需要更少外部元件，因此比現有解決方法的性價比更高。
產品特性
? 雙緣PWM對瞬變負載快速初始響應
? 正在申請專利的動態參考注入(Dynamic Reference Injection)
? +0.5%系統電壓精確度
? 符合VR11的遠程溫度檢測
? 與VR10逆向兼容
? “無損”差分電感電流檢測
安森美半導體高級副總裁兼模擬產品部總經理施禮賢 (Larry Sims) 說：“業內已廣泛認為CPU功率控制--特別是Vcore核心電壓功率控制--的下一步，將需要昂貴的數字控制系統以克服今天同步控制器架構的性能限制。安森美半導體的PWM控制器成功推出后，我們已證明這創新的雙緣架構，能夠為先進CPU功率控制提供高性能的解決方案，性價比遠高于數字或其他模擬平臺。”
完整的解決方案
除NCP5381外，安森美半導體的CPU功率控制4相解決方案還包括四個獨立12伏 (V) NCP3418B MOSFET門極驅動器，用于同步降壓。這些產品采用SOIC-8和DFN-10無鉛封裝。八個25 V、單N-溝道MOSFET也是雙緣Vcore核心電壓子系統解決方案的一部分，包括四個45安培(A)的NTD50N03R MOSFET和四個65 A的NTD65N03R MOSFET。這些器件的RDS(ON)門極電荷以及逆向恢復電荷較小，而且使用無鉛DPAK封裝。一個驅動器和兩個MOSFET用于驅動NCP5381的四個輸出相位。
供貨日期
NCP5381MNR2G采用40引腳無鉛QFN封裝。現備樣品供索，計劃于2006年第一季度投入生產。更多信息，請發送郵件至Michael.Stapleton@onsemi.com或致電1-602-244-5027與Mike Stapleton聯系。
NCP5381拓展了安森美半導體現有計算應用中的DDR控制器、通用控制器、MOSFET和分立產品的產品系列。
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