聯電新加坡工廠擴產使用45/40nm工藝
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據報道，聯電近日表示，他們在新加坡的Fab 12i晶圓廠已經開始啟動擴產計劃進行45/40nm工藝生產，聯電的此次擴產計劃也是為滿足客戶對先進制程技術的需求。
本文引用地址：//tjguifa.cn/article/98816.htmFab 12i晶圓廠是聯電的首個300mm晶圓廠，于2002年4月完工，并在2003年開始試產，目前的月晶圓產量為31000片，主要量產65/55nm工藝芯片。
聯電稱此次擴產計劃極具“侵略性”，但是沒有透露此次擴產所投花費、完成時間以及擴產后的產能。
聯電負責晶圓廠運營業務的副總裁顏博文表示：“此次工廠擴產和技術升級兌現了我們當初對用戶作出的承諾，同時能夠拉動新加坡當地的就業，吸引更多的優秀工程師到聯電來。”
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