耶魯大學和SRC共同研制出高性能鐵電存儲器
加入技術交流群
耶魯大學的研究人員和Semiconductor Research Corp (SRC)稱利用鐵電材料制作存儲器來代替DRAM和閃存非常合適。目前DRAM技術必須每幾個毫秒就刷新一下，而鐵電存儲器可以持續幾分鐘而無需刷新。
本文引用地址：//tjguifa.cn/article/97163.htm耶魯大學和SRC的研究人員制成了一種用于FeDRAM的鐵電晶體管實驗樣品，該FeDRAM保存信息的時間比DRAM長1000倍，而功耗僅為DRAM的1/20，而且尺寸可以縮至ITRS上的最先進節點。
“我們的存儲器的速度至少和DRAM一樣快，但尺寸和閃存一樣小，且更易微縮。”耶魯大學教授Tso-Ping Ma說道，“閃存在25nm節點會遇到障礙，但FeDRAM可隨CMOS工藝一同微縮至10nm以下。”
相關推薦
-
-
-
| 2009-07-06
-
| 2007-12-29
-
| 2013-01-11
-
| 2010-01-14
-
| 2003-08-10
-
-
-
-
| 2007-12-25
-
| 2010-01-14
-
| 2010-01-14
-
| 2009-07-17
-
| 2002-08-27
-
| 2003-06-22
-
| 2009-07-17
-
| 2008-01-02
-
-
| 2003-09-17
-
| 2012-05-21
-
-
-
| 2009-07-06
-
-
| 2009-07-06
-
| 2008-01-02
-
-
| 2007-12-25
-
| 2002-10-11
評論