SRC公司與耶魯大學的研究者們周二宣布發明了一種能顯著提高內存芯片性能的新技術。這項技術使用鐵電體層來替換傳統內存芯片中的電容結構作為基本的存儲 單元，科學家們將這種內存稱為鐵電體內存(FeDRAM),這種內存芯片的存儲單元將采用與CMOS微晶體管類似的結構，不過其門極采用鐵電體材料而不是傳統的電介質材料制作。

　　這種技術能使存儲單元的體積更小，信息的保存時間比傳統方式多1000倍左右，刷新的時間間隔可以更大，因此耗電量也更小，還可以像閃存芯片中那樣在一個存儲單元中存儲多位數據。此外，有關的制造設備也更簡單，因此從理論上說制造成本也更低。

　　目前研究者們正努力制造基于FeDRAM技術的原型產品。在SRC公司的大力支持下，據稱FeDRAM內存芯片有望在不久的將來面世，不過有關人士并沒有給出這款產品具體的面世時間。