新日本無線開發完成了設有旁通電路低噪聲放大器GaAs MMIC NJG1138HA8，并開始發放樣品。該產品面向歐洲，最適用于900MHz頻段W-CDMA模式手機。

　　【開發背景】

　　近年來，為了降低手機成本，RF-IC的CMOS化在不斷地進步。以往的低噪聲放大器內置于RF-IC內，但是CMOS工藝很難構成便宜又具有高線形性的低噪聲放大器。所以有必要增加外部元件的低噪聲放大器。因此，要通過CMOS工藝來降低成本，外部元件的高線形性的低噪聲放大器是必要的。NJG1138HA8就是能滿足這種要求的設有旁通電路低噪聲放大器。用于900MHz頻段W-CDMA模式手機終端。

　　【產品特征】

　　NJG1138HA8是由低噪聲放大電路?旁通電路?控制用邏輯電路構成的低噪聲放大器。具有內置高線形性?低消耗電流?ESD保護電路等特征，并且為防止離基地局較近地區發生的強磁場輸入時所造成的放大器視失真，設置了不經過放大電路的旁通模式(Low gain模式)。

　　--　即實現了高線形性又低消耗電流　--

　　通過使用高性能HJ FET工藝，即實現了高線形性 (IIP3 0dBm typ.　@VCTL=1.8V, fRF =942.5MHz)和低消耗電流 (2.3mA typ.　@VCTL=1.8V)。

　　--　實現了高ESD(Electrostatic Discharge)靜電耐壓　--

　　內置保護元件，用HBM(Human Body Model)方法，實現了2000V以上的高ESD(Electrostatic Discharge)靜電耐壓

　　【其它】

　　? 低控制電壓

　　? 超小超薄封裝　USB6-A8(1.0mmx1.2mmx0.38mm typ.)

　　? 符合無鉛無鹵化物標準