安森美半導體推出低VCE(sat)雙極結晶體管
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此類創新的低VCE(sat) BJT為微型的表面貼裝器件，具有超低飽和電壓（VCE(sat)）和高電流增益能力的特性，專為負擔得起且能效控制要求高的低壓高速開關應用而設計。理想的應用包括電源管理、電池充電、低壓降穩壓、振蕩器電機、LED背光、電池管理、磁盤驅動器控制和照相機閃光燈。
為協助一直處于削減其設計各個方面成本的巨大壓力之下的便攜式和無線產品制造商，安森美半導體在模擬集成電路以外，把目光轉向分立元件，以期獲得可能的成本節約。采用經加強的硅技術和先進封裝，公司開發了這全新系列的小型、高性價比BJT，其所提供的低飽和電壓性能與較昂貴的分立解決方案的 RDS(on) 性能相當。
安森美半導體集成電源產品部小信號產品市場經理Wes Reid說：“采用新型低VCE(sat) BJT，我們已成功幫助一些客戶實現了每個電路0.1美元的成本節約。安森美半導體工程小組也正加快開發新一代低VCE(sat) BJT 器件，它們可將等效RDS(on) 再降低50％，為更多的用戶和其應用提供這種成本節約型技術。”
安森美半導體新型VCE(sat) BJT的抗靜電放電（ESD）能力很強，有助防止敏感元件受到損壞。優異的電氣性能和低溫系數可提高電源效率，并最終節約電池電能。通過減少特定應用中的器件數量，這些新型晶體管可進一步縮減材料單（BOM）。如在提供低于1.0伏（V）的低導通電壓后，就無需典型的電荷泵 。由于它們具有雙向阻塞能力，所以也無需阻塞二極管。
PNP 器件
NSS12200WT1G 12 V, 3.0 A, 163 milliohm (SC-88)
NSS30070MR6T1G 30 V, 0.7 A, 320 milliohm (SC-74)
NSS35200CF8T1G 35 V, 7.0 A, 78 milliohm (Chip-FET)
NSS40400CF8T1G 40 V, 7.0 A, 78 milliohm (Chip-FET)
NSS20300MR6T1G 20 V, 5.0 A, 78 milliohm (TSOP-6)
NSS30100LT1G 30 V, 2.0 A, 200 milliohm (SOT-23)
NSS35200MR6T1G 35 V, 5.0 A, 100 milliohm (TSOP-6)
NPN 器件
NSS20201MR6T1G 20 V, 3.0 A, 100 milliohm (TSOP-6)
NSS30101LT1G 30 V, 2.0 A, 100 milliohm (SOT-23)
NSS30071MR6T1G 30 V, 0.7 A, 200 milliohm (SC-74)
NSS30201MR6T1G 30 V, 3.0 A, 100 milliohm (TSOP-6)
封裝與價格
低VCE(sat) BJT 系列采用多種業內領先的封裝，包括SOT-23、SC-88、SC-74、TSOP-6 和 ChipFET，每10,000件的批量單價為0.07美元至0.16美元。
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