過渡至65納米工藝的FPGA具備采用更小尺寸工藝所帶來的優勢：低成本、高性能和更強的邏輯能力。盡管這些優勢能夠為高級系統設計帶來激動人心的機會，但65納米工藝節點本身也帶來了新的挑戰。例如，在為產品選擇FPGA時，功耗的考慮變得越來越重要。很可能下一代設計會需要在功耗預算不變(或更小)的情況下，集成更多的特性和實現更高的性能。

　　本文將分析功耗降低所帶來的益處，還將介紹Virtex-5器件中所采用的多種技術和結構上的革新，它們能提供功耗最低的解決方案，并且不犧牲性能。

　　降低功耗的好處

　　低功耗的FPGA設計所帶來的優勢不僅是能滿足器件工作的散熱要求。雖然滿足元件指標對于性能和可靠性十分重要，但如何實現這一點對于系統成本和復雜性都有著巨大的影響。

　　首先，降低FPGA的功耗使設計人員能夠采用更便宜的電源，這樣的電源使用的元件數量較少，并且占用的PCB面積也較小。高性能電源系統的成本通常為每瓦0.5到1美元。低功耗的FPGA直接降低了系統的整體成本。

　　其次，由于功耗直接與散熱相關，低功耗使設計人員能夠使用更簡單、更便宜的熱量管理解決方案。在很多情況下，設計者將不再需要散熱器，或者只需要更小、更便宜的散熱器。

　　最后，由于低功耗工作意味著更少的元件和更低的器件溫度，因此將提高整個系統的可靠性。器件工作溫度每降低10℃，就相當于元件壽命提高了兩倍，因此對于需要高可靠性的系統而言，控制功耗和溫度十分重要。

　　功耗：挑戰和解決方案

　　FPGA(或任何半導體器件)中的總功耗等于靜態功耗和動態功耗之和。靜態功耗主要由晶體管的泄漏電流引起，即晶體管在邏輯上被關斷時，從源極“泄漏”到漏極或通過柵氧“泄漏”的小電流。動態功耗是器件核心或I/O在開關過程中消耗的能量，與頻率相關。

　　靜態功耗

　　在縮小晶體管尺寸時(例如，從90納米到65納米)，泄漏電流將會增大。新工藝節點所使用的短溝長和薄柵氧使電流更容易從晶體管的溝道區或通過柵氧泄漏。

　　在90納米Virtex-4系列產品中，賽靈思公司使用了“三柵極氧化層”的工藝技術，向電路設計者提供了一種強有力的阻止漏電工具。在前幾代FPGA中，使用兩種柵氧厚度：薄柵氧用于FPGA核心中高性能、低工作電壓的晶體管，而厚柵氧用于I/O模塊中尺寸較大，需要承受大電壓的晶體管。簡言之，“三柵極氧化層”指增加一種中間厚度柵氧的晶體管，它的漏電比薄柵氧的核心晶體管要小得多。

　　“中間柵氧”的晶體管用在器件核心外圍非關鍵性能的電路(像設置存儲器)或不需要對變化的柵壓進行快速開關響應的電路(像傳輸門)中。薄柵氧、漏電最大的晶體管只保留在需要快速開關速度的路徑部分。結果，總的器件漏電大幅減小，同時性能比上一代FPGA有很大提高。

　　三柵極氧化層工藝使Virtex-4器件比競爭性90納米FPGA在靜態功耗上平均減少了超過70%。這一結果非常成功，因此Virtex-5系列產品中大量使用了這一技術，在65納米工藝節點上降低漏電。

　　盡管業界預測65納米器件的靜態功耗將會大幅提高，但是圖1顯示了三柵極氧化層工藝使65納米Virtex器件在最壞(溫度最高)工作條件下達到了與尺寸相當的90納米Virtex-4器件相同水平的靜態功耗。因此，Virtex-5系列產品和競爭性高性能FPGA產品相比，在靜態功耗方面具有真正的優勢。

圖1：Virtex-4與Virtex-5器件在85℃時的靜態功耗比較。

　　動態功耗

　　動態功耗為65納米FPGA帶來一些其它方面的挑戰。動態功耗的公式為：

　　動態功耗=C×V2×f

　　其中，C是總開關電容、V是電源電壓、f是開關頻率。65納米工藝使FPGA的邏輯能力和性能比傳統器件有了顯著提高，也就是說更多的結點工作在更高的頻率上。如果其它方面的條件不變，動態功耗將會增大。不過對于動態功耗而言，也有一個好消息：FPGA電源電壓和結點電容通常在每一代新工藝中都會下降，從而使得動態功耗比上一代FPGA有所下降。

　　Virtex-5器件中，核心電源電壓(VCCINT)從Virtex-4中所使用的1.2V下降到1.0V。由于寄生電容變小(與更小的晶體管相關)，以及邏輯塊間的互聯線長度變短、電容變小，使結點電容減小。此外，Virtex-5器件在金屬互聯層之間使用了一種介電常數較低的材料。

　　Virtex-5器件的平均結點電容比Virtex-4器件大約減小了15%。加上電壓降低帶來的好處，至少相當于將Virtex-5器件的核心動態功耗降低了35~40%。