韓國開發出新技術 芯片工藝有望達到5納米
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據法新社報道，該小組已表示成功制造出了所謂的“Mott Insulator”(莫特絕緣體)，小組由電子與通信研究院(ETRI)的Kim Hyun-Tak牽頭。新材料是以獲得1977年諾貝爾物理獎的英國科學家Nevill Mott的名字命名的，盡管Mott insulators也屬于金屬，但它不能導電。然而，在高電壓狀態下，Mott insulators在相對較低的67攝氏度(華氏152.6度)下具有導電性能。
ETRI院長Lim Joo-Hwan表示，“硅物質導電發熱的物理性質使得芯片上無法建立超薄集成電路，然而Mott metals卻不會發熱。”
Kim Hyun-Tak表示，“20世紀在電子界風靡一時的半導體最終將給Mott insulators讓路”。
他表示，Mott insulators材料可開創一下每年達1000億美元銷售額的全球市場，包括顯示器與大量新設備都可放棄硅半導體而選擇Mott insulators。
他表示，使用Mott金屬絕緣體之后，芯片的工藝可能達到5納米制程，而目前的半導體芯片的制程理論可達到40納米，但當前市場上最領先的產品也使用90納米制造工藝。三星電子公司去年展示了全球最為先進的閃存芯片技術，該芯片采用的是60納米工藝。
專家們提示，60納米很可能代表了硅元素半導體芯片的工藝極限。
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