由青島杰生電氣有限公司承擔的國家863半導體照明工程重點項目“氮化鎵-MOCVD深紫外”LED材料生長設備研制取得突破，我國首臺具有自主知識產權的并能同時生長6片外延片的MOCVD設備研制成功。 　　

　　該設備在高亮度的藍光發光二極管(LED)、激光器(LD)、紫外光電探測器、高效率太陽能電池、高頻大功率電子器件領域具有廣泛應用。MOCVD是半導體照明上游關鍵設備，目前國內半導體照明產業的研發和生產所需設備全部依賴進口。在此之前，杰生電氣已先后研發出2英寸單片和2英寸3片的氮化鎵基外延材料生長設備，已獲國家發明專利該系列設備，在藍寶石Sapphire晶片和碳化硅SiC晶片生長出各種結構的GaN基材料。 　　

　　成立于2001年的杰生電氣，專門從事氮化鎵外延生長“金屬有機物氣相淀積法”設備（MOCVD SYSTEM）的研制開發和生產，杰生電氣以研發和生產高質量GaN-MOCVD SYSTEM為起點，開發具有完全自主知識產權的從研究型到生產型MOCVD SYSTEM，是國內目前唯一的GaN-MOCVD設備生產制造廠家。