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我國抗2000℃超高溫沖擊壓力傳感器研制成功

作者: 時間:2008-04-25 來源:EDN行業資訊

  一種可抗2000℃瞬時超高溫沖擊的硅隔離耐高溫日前在精密工程研究所研制成功。專家認為,這一國家“863”計劃項目的完成,將有效解決我國航空航天、石油化工、等領域高溫環境下壓力測量和瞬時高溫沖擊下傳感器失效的技術難題,打破了國外同類產品對我國傳感器市場的壟斷,提升了我國這一行業的整體水平和國際競爭能力,具有很高的推廣和使用價值。常規的硅只能在120℃以下進行壓力測量,超過120℃時,傳感器的性能會嚴重惡化以至失效。

本文引用地址://tjguifa.cn/article/81903.htm

  常規的測量方法和手段不能滿足高溫等惡劣環境下的壓力測量和自動化領域越來越高的測量精度要求,致使我國高溫產品長期以來主要依賴進口。研制的耐高溫能在-30℃~250℃環境下進行壓力測量,可完成1000Mpa以下任意量程范圍的壓力測量,能承受2000℃瞬時高溫沖擊。可滿足高溫、高壓、高頻響及瞬時高溫沖擊等惡劣環境下的壓力測量,具有自主知識產權,填補了國內在此領域的多項空白,對于推動我國工業的發展,培養新的經濟增長點具有重要意義。

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