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EEPW首頁 > 設計應用 > 老化OLED器件中深電子俘獲的直觀研究

老化OLED器件中深電子俘獲的直觀研究

作者：時間：2008-03-27 來源：

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　　盡管對于商業化而言OLEDs的操作穩定性非常重要，然而人們對OLED老化，也就是電致發光效率在某個超長時間范圍逐步衰減的本征機制知之甚少。之前，我們發現OLED老化源于電子和空穴傳輸層界面及其附近深空穴俘獲的形成。現在，我們報道的是在NPB/Alq標準器件老化過程中復合區域附近深電子俘獲的形成，這種深電子俘獲也可以在受到短時間白光輻射的老化器件中有選擇的分布。這些深電子俘獲區域表現出弱的發光性能，發光效率據估計比Alq本身小100－150倍。短時間的白光輻射促進了這些電子俘獲的形成，使OLED器件呈現一種0內建電荷的狀態。接下來的驅動電流導致(i)“早”電致發光脈沖 (ii)電子俘獲的釋放 (iii)使老化OLED達到一種實質性的正內建電荷的狀態。

　　盡管這些俘獲的化學特性尚不清楚，發光光譜的紅移，寬展，與電性質老化形成Alq老化產物的結論相符合。這種電子俘獲的積累可能導致兩種發光效率的損失機制：(i)遷移空穴與俘獲電子直接復合產生一種近似不發光的激發態，和 (ii)OLED發光分子向未填滿電子俘獲分子的長程能

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