Hittite Microwave發布兩款無源GaAs MESFET I/Q混頻器
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Hittite Microwave公司日前發布兩款用于頻率范圍為3～7GHz的點對點無線電、WiMAX基礎設施、測試裝置和軍事應用的無源GaAs MESFET I/Q混頻器。
HMC620LC4是一個可在3～7GHz頻率范圍內提供32dB鏡像抑制、43dB LO至RF隔離度以及+22dBm穩定輸入IP3性能的無源I/Q混頻器/IRM。這個經過精心設計的雙平衡混頻器集成電路可確保出色的振幅和相位平衡，同時將變頻損耗限制在標稱值8dB。HMC620是一個工作頻率范圍相同的緊湊型芯片混頻器，可提供33dB的鏡像抑制、45dB的LO至RF隔離度以及+23dBm的輸入IP3性能。這兩款混頻器都具有DC～3.5GHz的出色中頻帶寬，可以用作鏡像抑制混頻器或單邊帶上變頻器。
HMC620LC4采用符合RoHS指令的4
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