英飛凌(Infineon Technologies AG)日前表示，已同意向IBM提供使用其嵌入式閃存制造工藝的許可。IBM將在北美使用這種130納米工藝。英飛凌表示，它將使用IBM的代工服務生產未來基于此工藝的產品。

　　英飛凌的上述130納米嵌入式閃存工藝于2006年初開始在英飛凌的工廠中實現量產，用于生產從汽車系統到智能卡等應用的微控制器芯片。

　　英飛凌汽車、工業與多市場業務部主管Peter Bauer表示：“通過這項合作，英飛凌發揮了其自己的制造IP的價值，獲得了新的批量制造伙伴，而且加強了我們與長期伙伴之間的工作關系。”

　　“通過與英飛凌合作，我們拓寬了自己的半導體產品范圍。英飛凌是嵌入式閃存技術領域中的領先廠商。”IBM全球工程解決方案部門的半導體副總裁Steve Longoria表示。“這項許可協議利用了我們現有的技術基礎，而且補足了我們的模擬與混合信號專門技術。”

　　上述工藝的整合與驗證工作已開始在IBM位于佛蒙特州Burlington的200毫米晶圓廠進行，計劃在2008年下半年推出初步設計工具。