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中芯國際二季虧3.2億元 欲進軍快閃記憶體

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作者: 時間:2005-08-01 來源:
  于近日公布了其截至今年6月底止的第二季度業績,二季度發生凈虧損4044.5萬美元(近人民幣3.2億元),較首季虧損2999.5萬美元有所擴大,每股虧損0.22美分。而去年同期業績為凈利潤3416.5萬美元,

  根據香港聯交所資料顯示,期內營業額為2.795億美元,期內毛利率持續下跌,由首季度的6.1%降至2.3%。由于第二季度擴大在上海八英寸廠及北京十二英寸廠的DRAM(動態隨機記憶體)投產,使得折舊費用增加,而且受到DRAM的價格大跌及整個行業疲弱影響,其第二季度芯片平均出貨價格跌至807美元,但中芯國際的產能使用率由首季85%升至87%。

  首席執行官張汝京表示,今年第二季度將是此次半導體周期的谷底,預計2005年下半年半導體行業將加速反彈,目前公司第3季度手頭訂單已超出預期,而公司也提早收到部分第4季度訂單,反映下半年半導體市場正在復蘇,估計明年表現將較今年強勁。公司將計劃2005年資本支出調增至11億美元。

  對于人民幣升值對公司所帶來的影響,張汝京表示說,去年公司已對人民幣資產進行對沖,加上公司貨幣成本結構中只有15%以人民幣結算,所以人民幣升值對公司影響不大。

  他表示,由于內地客戶不斷增加,而越來越多客戶以人民幣付款,可抵消內地成本因人民幣升值所帶來的影響。他同時指出,公司貸款以美元為單位,不涉及人民幣升值的風險。

  中芯國際在業績公布前與位于以色列的Saifun公司,共同宣布中芯國際已經在其以閃存為基礎的產品上獲特許使用Saifun NROM技術。Saifun是總部位于以色列的快閃記憶體技術開發公司,為非易失內存技術(NVM)市場提供智能產權(IP)解決方案的供貨商。中芯國際將以此技術為基礎,未來快閃記憶體亦將成為繼DRAM之后,中芯國際芯片生產線填充產能的另一選擇。

  中芯國際過去使用DRAM作為景氣低迷時的產能填補產品,由于記憶體及邏輯制程大部分產品線無法直接進行轉移,中芯國際上半年受到景氣不佳影響,邏輯產能利用率不高,而Saifun基于高級邏輯制程的NROM技術對未來填充高階產能極為適合用來生產快閃記憶體。

  張汝京指出,與Saifun半導體合作發展快閃記憶體產品,預期最快要明年底才有少量盈利貢獻,到2007年才有明顯的盈利貢獻。

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