離子注入法制備GaN基稀釋磁性半導體薄膜的方法，將磁性離子如Mn及Fe、Co或Ni等注入GaN半導體薄膜中，即用離子注入的方法以150～250keV的能量注入磁性離子，然后在850－900℃、NH3氣氛條件下退火處理。DMS離子注入法是通過離子注入，將Fe、Mn、Co或Ni等磁性離子注入GaN基半導體材料中來制備磁性半導體的方法。與其他直接生長方法相比，能夠實現較高的離子摻雜濃度，因而可能制備出高居里溫度的磁性半導體材料。

　　主權項

    權利要求書1、離子注入法制備GaN基稀釋磁性半導體薄膜的方法，其特征是將磁性離子如Mn及Fe、Co或Ni等注入GaN半導體薄膜中，即用離子注入的方法以150～250keV的能量注入磁性離子，然后在850-900℃、NH3氣氛條件下退火處理。