三星現代偏重閃存生產內存迎來缺貨漲價期
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內存模塊制造業人士稱，原本DRAM芯片供貨量僅受三星轉換產能影響，還沒有明顯感受到貨源不足壓力，但從7月起，Hynix也將轉換產能生產閃存，在2大DRAM芯片制造商雙雙轉換產能的沖擊下，DRAM芯片供貨量大減。三星還決定從7月起，對下游DRAM模塊制造商全面采取強制配貨行動，保證DRAM芯片貨源均優先供應跨國的大型電腦制造商。
事實上，三星從2005年第一季度末逐月增產NAND型閃存后，6月起DRAM供貨量減少的不良效應就已開始擴散，不過，由于6月僅有三星轉移產能，因此6月DRAM芯片平均合約報價與之前持平或僅有微幅增長。
不過，從7月起Hynix也轉換產能增產閃存后，預計DRAM市場供貨量將持續降低，并使得DRAM顆粒合約價將很有可能在7月前半個月漲價約5%～10%。值得注意的是，8月起力晶增加對瑞薩（Renesas）AG-AND型閃存代工的轉產效應也將起到火上澆油的效果，屆時可能造成DRAM市場供貨來源“三缺”效應同時發生。
更重要的是，大型電腦制造商們對DRAM的需求從6月起就已逐步增加，由于7月IT市場將進入傳統上的旺季，加上DRAM制造商只優先向大型電腦制造商提供DRAM芯片，因此DRAM模塊制造商們未來恐將面臨長達數個月的DRAM芯片供貨“枯水期”，目前各家DRAM模塊制造商們只能自行尋找DRAM貨源，預計我國臺灣的一些DRAM芯片制造廠可望因此得利。
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