日立與瑞薩開發1.5V相變存儲模塊
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日立和瑞薩以前開發過一種低功耗操作相變存儲器，它在界面層使用了五氧化鉭，可以利用1.5V電源電壓和100μA電流進行寫操作。與傳統的片上非易失性存儲器相比，這種存儲器可以降低寫電壓，在芯片內無需使用產生高壓的電源電路，從而有助于減小模塊尺寸，并實現更高的密度。不過，由于讀取電流很小，存儲器陣列電路技術非常關鍵，這樣才能保證在小電流條件下實現高速運行。
新開發的電路技術具有以下特性：
（1）寫電路技術有助于利用小電流實現高速寫入
a.兩步電流控制的數據寫入方法
高速寫入是利用控制兩步寫入過程中流經相變薄膜的電流來實現的，首先是100μA的電流，然后是低于100μA的電流，以有效地產生焦耳熱量。
b.串寫方法
通常，存儲器的寫入是多位同時執行的。由于寫入所需的電流為：單元寫電流
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